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定格平均オン電流 = 12A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 50mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 126A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 50mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。繰返しピークオフステート電流 = 1mA。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm。長さ = 10.28mm。幅 = 9.35mm。高さ = 4.6mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.3mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

最大スイッチング周波数 = 70 kHz。スタートアップ供給電流 = 150μA。最大ソース電流 = 4mA。最大シンク電流 = 4.5mA。最大供給電流 = 6 mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SO。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。長さ = 10mm。動作供給電圧 Max = 22.5 V。動作温度 Max = +150 ℃。幅 = 4mm。オンボード 700 V スタートアップソース トラッキングブースト機能 高速な「双方向」入力電圧フィードフォワード( 1/V2 補正) カスケードコンバータの PWM コントローラ用インターフェイス リモートオン / オフ制御 正確な調整可能な出力過電圧保護 フィードバックループの切断から保護(ラッチシャットダウン) インダクタ飽和保護 低( 100 μ A 以下)スタートアップ電流 最大動作バイアス電流： 6 mA 内部基準電圧： 1 % ( @ TJ = 25 ° C -600/+800 mA トーテムポールゲートドライバ( UVLO 時のアクティブプルダウン付き 用途 PFC プリレギュレータ： ハイエンド AC-DC アダプタ / 充電器 LED 照明器具用 SMPS です

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。最大ゲートトリガー電流 = 5mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 31A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 10mA。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。長さ = 6.6mm。幅 = 6.2mm。高さ = 2.4mm。繰返しピークオフステート電流 = 0.005mA。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 25A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大ゲートトリガー電流 = 50mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 1200V。サージ電流レーティング = 252A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 1200V。最大保持電流 = 60mA。寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm。長さ = 10.28mm。幅 = 9.35mm。高さ = 4.6mm。ピークオンステージ電圧 = 1.55V。STMicroelectronics 25 → 40 A トライアック

定格平均オン電流 = 32A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TOP3。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 610A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 80mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。最大保持電流 = 150mA。ピン数 = 3。寸法 = 15.5 x 4.6 x 12.85mm。動作温度 Max = +125 ℃V。サイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 750。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +150 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 25mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 38A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.15mm。動作温度 Max = +125 ℃V。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 500。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = PDIP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 16。トランジスタ構成 = コモンエミッタ。1チップ当たりのエレメント数 = 7。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V。幅 = 7.1mm。ダーリントントランジスタアレイ、STMicroelectronics. ダーリントントランジスタドライバは、複数のオープンコレクタダーリントンペアと、誘導負荷用の集積サプレッションダイオードを備えた、高電圧・大電流スイッチアレイです。 定格電流は、各出力につき500 mA以上と大きくなっています。 ICパッケージにおいて入力は出力の反対側に固定されており、アプリケーション基板レイアウトが簡素化されます。 インターフェイスは、標準のTTL又はCMOS論理レベルです。

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 200。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.05mA。幅 = 4.6mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 12 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 100。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.1mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 100。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.01mA。幅 = 6.2mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 15A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 36ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 930mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 20 → 25 A

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 45ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronics

最大破壊電流 = 0.05mA。最大破壊電圧 = 36V。繰り返しピークオンステート電流 = 2A。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。ピン数 = 2。寸法 = 4.5 x 2 x 2mm。長さ = 4.5mm。幅 = 2mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。；b>DB3 、 DB4 、 SMDB3 DIAC ダイオード ；/b>. 固定基準電圧でトリガダイオードとして機能する ST Microelectronics DB3 / DB4 シリーズは、トライアックと組み合わせてゲート制御回路を単純化したり、蛍光灯バラストの起動エレメントとして使用したりすることができます。表面実装 SOT23-3L パッケージにより、自動製造用のコンパクトな SMD ベースデザインが可能です。. ；b>特長と利点 ；/b>. ；ul> ；li>VBO ： 32 V および 40 V ；/li> ；li>低ブレークオーバー電流 ；/li> ；li>ブレークオーバー電圧対称： 3 V ；/li> ；li>ECOPACK R 2 適合 ；/li> ；/ul>. ；b>用途 ；/b>. ；ul> ；li>トライアック又は SCR ベースのモータ / 光ディマー用のトリガデバイスです ；/li> ；li>発振器回路用の 32 V トリガデバイス ；/li> ；li>CFL 、 TL 、 LED ランプの照明バラストの起動トリガ ；/li> ；/ul>

ロジックタイプ = CMOS， TTL。出力電流 = 0.65 A。供給電圧 = 17V。ピン数 = 14。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハーフブリッジ。高/低サイド依存性 = 独立。ドライバ数 = 2。ブリッジタイプ = ハーフブリッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronics

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準ゲイン帯域幅積 = 4MHz。標準デュアル供給電圧 = ±12 V， ±15 V， ±5 V， ±9 V。標準スルーレート = 16V/μs。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 106 dB。幅 = 3.9mm。LF347、LF351、LF353、JFET入力、低入力バイアス及びオフセット電流オペアンプ. LF347、LF351、及びLF353は、一対の高電圧JFETトランジスタ及びバイポーラトランジスタを備えた高速JFET入力オペアンプです。 高スルーレート、低入力バイアス及びオフセット電流、低オフセット電圧温度係数を特長としています。

最大連続コレクタ電流 = 25 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。動作温度 Max = +150 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 23 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 25 W。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm。動作温度 Min = -55 ℃pF。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-247。ピン数 = 3V。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 15.75mm。幅 = 5.15mm。高さ = 20.15mm。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics

アンプタイプ = 高電流。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4MHz。標準スルーレート = 1.3V/μs。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 106 dB。幅 = 4mm。TS92x、TS92xA、優れたオーディオ性能 / 低歪みオペアンプ. TS921 (シングル)、TS922 (デュアル)、TS924 (クワッド)、TS925 (クワッド) BiCMOSオペアンプは、3 ～ 5 Vの動作向けに最適化され、完全に仕様規定されています。. レールツーレール入力 / 出力 低ノイズ: 9 nV/√Hz 低歪み: 0.005 % 高出力電流: 80 mA (32 Ωの負荷を駆動可能) 高速: 4 MHz 低入力オフセット電圧: 最大900 μV (TS92xA) 電源: 2.7 → 12 V

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 120 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 300 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 30V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 550mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。直径 2.71mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 25A。STMicroelectronics 1N5817/8/9低ドロップパワーショットキー整流器. Vishay 1N5817、1N5818、1N5819 低ドロップ1 Aショットキー整流ダイオードの製品群です。スイッチング電源と高周波DC-DCコンバータ用に設計されています。 特長: 高速スイッチング 低い順方向電圧降下 小さな導電損失 非常に低いスイッチング損失 どこに使用されていますか? 1N5817-1N5819は、低電圧、高周波インバータ、フリーホイール、極性保護、小型充電器用に設計されています。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 +150 バージョンを用意: 1N5817 20 1N5818 30 1N5819 40 V

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 16.4mm。NチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 15.75mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 5.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 900 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 140 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 9.35mm。動作温度 Min -55 ℃mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 30 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 800 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 40 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。トランジスタ素材 Simm。高さ 9.3mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.6mm。高さ 9.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics