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最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-247。ピン数 = 3V。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 15.75mm。幅 = 5.15mm。高さ = 20.15mm。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 750。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 200。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.05mA。幅 = 4.6mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 100。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.01mA。幅 = 6.2mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 12 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 100。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.1mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 500。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = PDIP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 16。トランジスタ構成 = コモンエミッタ。1チップ当たりのエレメント数 = 7。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V。幅 = 7.1mm。ダーリントントランジスタアレイ、STMicroelectronics. ダーリントントランジスタドライバは、複数のオープンコレクタダーリントンペアと、誘導負荷用の集積サプレッションダイオードを備えた、高電圧・大電流スイッチアレイです。 定格電流は、各出力につき500 mA以上と大きくなっています。 ICパッケージにおいて入力は出力の反対側に固定されており、アプリケーション基板レイアウトが簡素化されます。 インターフェイスは、標準のTTL又はCMOS論理レベルです。

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 30V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 550mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。直径 2.71mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 25A。STMicroelectronics 1N5817/8/9低ドロップパワーショットキー整流器. Vishay 1N5817、1N5818、1N5819 低ドロップ1 Aショットキー整流ダイオードの製品群です。スイッチング電源と高周波DC-DCコンバータ用に設計されています。 特長: 高速スイッチング 低い順方向電圧降下 小さな導電損失 非常に低いスイッチング損失 どこに使用されていますか? 1N5817-1N5819は、低電圧、高周波インバータ、フリーホイール、極性保護、小型充電器用に設計されています。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 +150 バージョンを用意: 1N5817 20 1N5818 30 1N5819 40 V

最大破壊電流 = 0.05mA。最大破壊電圧 = 36V。繰り返しピークオンステート電流 = 2A。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。ピン数 = 2。寸法 = 4.5 x 2 x 2mm。長さ = 4.5mm。幅 = 2mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。；b>DB3 、 DB4 、 SMDB3 DIAC ダイオード ；/b>. 固定基準電圧でトリガダイオードとして機能する ST Microelectronics DB3 / DB4 シリーズは、トライアックと組み合わせてゲート制御回路を単純化したり、蛍光灯バラストの起動エレメントとして使用したりすることができます。表面実装 SOT23-3L パッケージにより、自動製造用のコンパクトな SMD ベースデザインが可能です。. ；b>特長と利点 ；/b>. ；ul> ；li>VBO ： 32 V および 40 V ；/li> ；li>低ブレークオーバー電流 ；/li> ；li>ブレークオーバー電圧対称： 3 V ；/li> ；li>ECOPACK R 2 適合 ；/li> ；/ul>. ；b>用途 ；/b>. ；ul> ；li>トライアック又は SCR ベースのモータ / 光ディマー用のトリガデバイスです ；/li> ；li>発振器回路用の 32 V トリガデバイス ；/li> ；li>CFL 、 TL 、 LED ランプの照明バラストの起動トリガ ；/li> ；/ul>

Transil TVS双方向軸1500 W、STMicroelectronics

Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics