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onsemi 整流ダイオード, 3A, 40V スルーホール, 2-Pin DO-201AD ショットキーバリア 950mV onsemionsemi 整流ダイオード, 3A, 40V スルーホール, 2-Pin DO-201AD ショットキーバリア 950mVonsemi
539税込593
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-201AD●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 40V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 950mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●直径 : 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 80A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi スイッチングダイオード スルーホール, シングル,エレメント数 1 DO-41, 2-Pin 1.1V onsemionsemi スイッチングダイオード スルーホール, シングル,エレメント数 1 DO-41, 2-Pin 1.1Vonsemi
889税込978
1袋(50個)
翌々日出荷
ダイオード構成 シングル1チップ当たりのエレメント数 1パッケージタイプ DO-41ダイオードテクノロジー シリコンジャンクションピン数 2V動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃高さ 5.2mm寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm直径 2.7mmON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ダイオード スルーホール, シングル,エレメント数 1 DO-201AD, 2-Pin 1V onsemionsemi ダイオード スルーホール, シングル,エレメント数 1 DO-201AD, 2-Pin 1Vonsemi
209税込230
1袋(10個)
翌々日出荷
ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃高さ = 9.5mm寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm直径 = 5.3mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 3.9V スルーホール 500 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.9V スルーホール 500 mWonsemi
739税込813
1袋(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 3.9V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 23Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 5.6V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 5.6V スルーホール 5 Wonsemi
399税込439
1袋(5個)
翌々日出荷
標準ツェナー電圧 5.6V1チップ当たりのエレメント数 1最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ DO-15ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 220mA最大ツェナーインピーダンス 1Ω最大逆漏れ電流 1μA寸法 8.89 3.68 3.68mm動作温度 Min -65 ℃ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 51V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 51V スルーホール 5 Wonsemi
339税込373
1袋(5個)
翌々日出荷
標準ツェナー電圧 = 51V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 27Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 16V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 16V スルーホール 1 Wonsemi
799税込879
1袋(100個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 16V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15.5mA最大ツェナーインピーダンス = 16Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 30V 表面実装 3 W onsemionsemi ツェナーダイオード 30V 表面実装 3 Wonsemi
1,698税込1,868
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 3 W●パッケージタイプ : SMB●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 12.5mA●最大ツェナーインピーダンス : 28Ω●最大逆漏れ電流 : 1μA●寸法 : 4.6×3.95×2.28mm●動作温度 Min : -65 ℃●ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 3 W onsemionsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 3 Wonsemi
549税込604
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 3 W●パッケージタイプ : DO-41●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 31.2mA●最大ツェナーインピーダンス : 550Ω●最大逆漏れ電流 : 1μA●寸法 : 2.7 (Dia.) x 5.2mm●動作温度 Min : -65 ℃●ツェナーダイオード3 W、1N59xxBシリーズSurmetic(TM)、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 14V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 14V スルーホール 5 Wonsemi
559税込615
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 5 W●パッケージタイプ : Surmetic 40●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 100mA●最大ツェナーインピーダンス : 75Ω●最大逆漏れ電流 : 1μA●寸法 : 3.68 (Dia.) x 8.89mm●動作温度 Min : -65 ℃●ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 1N53 シリーズは、 Surmetic(TM) 40 アキシャルリード 5 W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、隙間のない転送成形の熱硬化性プラスチック製成形パッケージを備えており、最も一般的な環境条件で保護します。電圧レギュレータは厳格な制限を備え、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映した優れた動作特性を備えています。外面は耐腐食性で、リードは簡単にはんだ付けできます. 用途. 産業用RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 82V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 82V スルーホール 5 Wonsemi
279税込307
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 5 W●パッケージタイプ : Surmetic 40●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 15mA●最大ツェナーインピーダンス : 720Ω●最大逆漏れ電流 : 500nA●寸法 : 3.68 (Dia.) x 8.89mm●動作温度 Min : -65 ℃●ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi
329税込362
1袋(10個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 830 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.19mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 200 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 200 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi
969税込1,066
1袋(20個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.19mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92 onsemionsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92onsemi
1,998税込2,198
1袋(50個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
479税込527
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-214AA (SMB), 2-Pin 875mV onsemionsemi スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-214AA (SMB), 2-Pin 875mVonsemi
1,098税込1,208
1袋(25個)
7日以内出荷
ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2mV動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.6mm幅 = 3.95mm高さ = 2.27mm寸法 = 4.6 x 3.95 x 2.27mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 200mA, 30V 表面実装, 2-Pin SOD-523F ショットキーバリア 450mV onsemionsemi 整流ダイオード, 200mA, 30V 表面実装, 2-Pin SOD-523F ショットキーバリア 450mVonsemi
799税込879
1セット(100個)
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523F最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 450mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AFairchild Semiconductorショットキーバリア整流器ダイオード、シングル
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 1A, 20V スルーホール, 2-Pin DO-41 ショットキーバリア 750mV onsemionsemi 整流ダイオード, 1A, 20V スルーホール, 2-Pin DO-41 ショットキーバリア 750mVonsemi
359税込395
1袋(5個)
翌々日出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 20Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 750mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25AON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 30mA, 40V 表面実装, 2-Pin SOD-523 ショットキーバリア 370mV onsemionsemi 整流ダイオード, 30mA, 40V 表面実装, 2-Pin SOD-523 ショットキーバリア 370mVonsemi
849税込934
1袋(100個)
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523最大連続 順方向電流 = 30mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi コンパレータ, 2 → 36 V dc, CMOS, DL, ECL, MOS, TTL出力 表面実装, 8-Pin MSOP onsemionsemi コンパレータ, 2 → 36 V dc, CMOS, DL, ECL, MOS, TTL出力 表面実装, 8-Pin MSOPonsemi
1,198税込1,318
1セット(20個)
7日以内出荷
コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MSOP電源タイプ = ±2電源, 単一電源出力タイプ = CMOS, DL, ECL, MOS, TTL回路数 = 2標準応答時間 = 1.5μsピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 2 → 36 V dc寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm長さ = 3.1mm幅 = 3.1mm高さ = 0.95mm動作温度 Max = +70 ℃V dcコンパレータ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 1000V, 8.51 x 6.5 x 2.6mm, DF10S onsemionsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 1000V, 8.51 x 6.5 x 2.6mm, DF10Sonsemi
839税込923
1袋(10個)
5日以内出荷
ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm高さ = 2.6mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 39V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 39V スルーホール 5 Wonsemi
269税込296
1袋(5個)
翌々日出荷
標準ツェナー電圧 = 39V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 30mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 17V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 17V スルーホール 5 Wonsemi
629税込692
1袋(10個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 17V1チップ当たりのエレメント数 1最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ Surmetic 40ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 70mA最大ツェナーインピーダンス 75Ω最大逆漏れ電流 500nA寸法 3.68 (Dia.) 8.89mm動作温度 Max +200 ℃ツェナーダイオード5 Surmetic、1N5347 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 1N53 シリーズは、 Surmetic 40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、隙間のない転送成形の熱硬化性プラスチック製成形パッケージを備えており、最も一般的な環境条件で保護します。電圧レギュレータは厳格な制限を備え、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映した優れた動作特性を備えています。外面は耐腐食性で、リードは簡単にはんだ付けできます. 用途. 産業用
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 62V 表面実装 225 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 62V 表面実装 225 mWonsemi
339税込373
1セット(200個)
7日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 62V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 225 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 215Ω最大逆漏れ電流 = 50nA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm標準電圧温度係数 = 71.6mV/℃ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi マルチプレクサ 表面実装 TSSOP, 16-Pin, 74 onsemionsemi マルチプレクサ 表面実装 TSSOP, 16-Pin, 74onsemi
1,398税込1,538
1袋(25個)
予約販売
ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm自動車規格 = AEC-Q100高速スイッチング及び伝播速度 スイッチ間の低クロストーク すべての入力 / 出力でダイオード保護 アナログ電源範囲( VCC - VEE ) = 2.0 → 12.0 V デジタル(制御)電源範囲( VCC - GND ) = 2.0 → 6.0 V 金属ゲートカウンタ部品よりも直線性が向上し、オン抵抗が低減しています 低ノイズ チップの複雑さ: HC4051A-184 FET または 46 相当 Gates HC4052A-168 FET 又は 42 等価 Gates HC4053A-156 FET 又は 39 相当の Gates
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオードアレイ, 単方向, 表面実装, 20V, NUP2201MR6T1G onsemionsemi TVSダイオードアレイ, 単方向, 表面実装, 20V, NUP2201MR6T1Gonsemi
86,980税込95,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ : 単方向●最大クランピング電圧 : 20V●最小ブレークダウン電圧 : 6V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : TSOP●最大逆スタンドオフ電圧 : 5V●ピン数 : 6●ピークパルスパワー消費 : 500W●最大ピークパルス電流 : 25A●ESD保護 : あり●1チップ当たりのエレメント数 : 2●動作温度 Min : -40 ℃●動作温度 Max : +125 ℃mm●最大逆漏れ電流 : 5μA●SLICサージアレスタアレイ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオードアレイ, 単方向, 表面実装, 20V, NUP2202W1T2G onsemionsemi TVSダイオードアレイ, 単方向, 表面実装, 20V, NUP2202W1T2Gonsemi
119,800税込131,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ : 単方向●最大クランピング電圧 : 20V●最小ブレークダウン電圧 : 6V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-363 (SC-88)●最大逆スタンドオフ電圧 : 5V●ピン数 : 6●ピークパルスパワー消費 : 500W●最大ピークパルス電流 : 28A●ESD保護 : あり●1チップ当たりのエレメント数 : 2●動作温度 Min : -40 ℃●寸法 : 2 x 1.25 x 0.9mm●最大逆漏れ電流 : 5μA●SLICサージアレスタアレイ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 汎用 整流ダイオード, 1A, 600V スルーホール, 2-Pin CASE 59 onsemionsemi 汎用 整流ダイオード, 1A, 600V スルーホール, 2-Pin CASE 59onsemi
999税込1,099
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : CASE 59●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 600V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : 汎用●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ピーク逆回復時間 : 300ns●直径 : 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 30A●メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 500mA, 20V 表面実装, 2-Pin SOD-123 ショットキーバリア 385mV onsemionsemi 整流ダイオード, 500mA, 20V 表面実装, 2-Pin SOD-123 ショットキーバリア 385mVonsemi
27,980税込30,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOD-123●最大連続 順方向電流 : 500mA●ピーク逆繰返し電圧 : 20V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 385mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 5.5A●ON Semiショットキーバリア整流器、0.5 A、20 V. この ON Semiconductor 0.5 Aショットキーパワー整流器 は、ショットキーバリア技術を採用したパワー整流器です。バリア金属は、順方向電圧降下と逆電流の最適なトレードオフを特長としています。 このデバイスは、SOD-123プラスチックパッケージで提供されます。すべての外面には、腐食性に対する耐性が備わっています。この小型のパッケージは、基板の自動アセンブリに適しています。 特長: ストレス保護ガードリング 低順方向電圧 カソードバンドで極性を識別 何に使用しますか? このショットキーパワー整流器は、低電圧、高周波の整流用途に最適です。また、34 MELFスタイルパッケージの代替品としても使用できます。「SBR8」で始まる品番は、固有のサイトや制御の変更を必要とする、車載用途やその他の用途向けに設計された製品です。 種類: MBR0520LT1G SBR80520LT1G MBR0520LT3G SBR80520LT3GRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mWonsemi
17,980税込19,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 200 mW●パッケージタイプ : SOD-323●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 2%●ピン数 : 2●テスト電流 : 5mA●最大ツェナーインピーダンス : 95Ω●最大逆漏れ電流 : 5μA●寸法 : 1.8×1.35×1mm●動作温度 Min : -65 ℃mV/K●ツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 3V 表面実装 300 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3V 表面実装 300 mWonsemi
9,998税込10,998
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 300 mW●パッケージタイプ : SOD-323●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 5mA●最大ツェナーインピーダンス : 100Ω●最大逆漏れ電流 : 10μA●寸法 : 1.8×1.35×1mm●動作温度 Min : -65 ℃mV/K●ツェナーダイオード300 mW、MM3Z、SZMM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 62V 表面実装 3 W onsemionsemi ツェナーダイオード 62V 表面実装 3 Wonsemi
33,980税込37,378
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 3 W●パッケージタイプ : ケース 403A●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : ±5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 6mA●最大ツェナーインピーダンス : 1500Ω●最大逆漏れ電流 : 1μA●寸法 : 4.6×3.95×2.27mm●動作温度 Min : -65 ℃V●この 3.0 W ツェナーダイオードは、汎用電圧調整用途向けに設計されています。ツェナー電圧範囲: 3.3 → 200 V >人体モデルごとにクラス 3 ( 16 KV )の ESD 定格を備えています 平らな取り扱い面で正確に配置できます TOP サイド / ボトム回路基板実装用のパッケージ設計 機械的特性: ケース:無骨、転写成型プラスチック 仕上げ:外部表面はすべて耐腐食性で、簡単にはんだ付け可能なリードを備えています はんだ付け用の最大ケース温度: 260 ° C ( 10 秒間) リード:変更された L ベンドにより、パッドを結合するための接触面積が増加します 極性:カソードは成形極性ノッチで表示 PPAP対応 品番の先頭が「 SZ 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件を必要とする車載用途やその他の用途向けですRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 6.8V 表面実装 550 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 6.8V 表面実装 550 mWonsemi
31,980税込35,178
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 550 mW●パッケージタイプ : SMB●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 55.1mA●最大ツェナーインピーダンス : 2.5Ω●最大逆漏れ電流 : 5μA●寸法 : 4.32×3.56×2.13mm●動作温度 Max : +150 ℃●ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor
onsemi ツェナーダイオード 7.5V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 7.5V スルーホール 5 Wonsemi
88,980税込97,878
1セット(4000個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 5 W●パッケージタイプ : DO-15●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 175mA●最大ツェナーインピーダンス : 1.5Ω●最大逆漏れ電流 : 10μA●寸法 : 8.89×3.68×3.68mm●動作温度 Max : +200 ℃●ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 1N53 シリーズは、 Surmetic(TM) 40 アキシャルリード 5 W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、隙間のない転送成形の熱硬化性プラスチック製成形パッケージを備えており、最も一般的な環境条件で保護します。電圧レギュレータは厳格な制限を備え、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映した優れた動作特性を備えています。外面は耐腐食性で、リードは簡単にはんだ付けできます. 用途. 産業用RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 3 W onsemionsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 3 Wonsemi
31,980税込35,178
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 3 W●パッケージタイプ : SMB●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 79.8mA●最大ツェナーインピーダンス : 5Ω●最大逆漏れ電流 : 5μA●寸法 : 4.6×3.95×2.28mm●動作温度 Min : -65 ℃●ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 11V 表面実装 3 W onsemionsemi ツェナーダイオード 11V 表面実装 3 Wonsemi
1,698税込1,868
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 3 W●パッケージタイプ : SMB●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 34.1mA●最大ツェナーインピーダンス : 5.5 Ω, 550Ω●最大逆漏れ電流 : 1μA●寸法 : 4.6×3.95×2.28mm●動作温度 Min : -65 ℃●ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 500 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 500 mWonsemi
349税込384
1袋(20個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 5 Wonsemi
89,980税込98,978
1セット(4000個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 18V 表面実装 300 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 18V 表面実装 300 mWonsemi
6,398税込7,038
1セット(3000個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
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