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Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 180 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 140 W最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.39mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
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