制御機器 ：「ピンゲージケース」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 48 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 7.8 nC @ 5 Vmm。高さ = 16.51mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.9 nC @ 5 Vmm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 540 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-563。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.45V。最大パワー消費 = 250 mW。最大ゲート-ソース間電圧 = ±7 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。20 V N チャンネルパワー MOSFET です。低 RDS ( on )により、システム効率が向上します 低しきい値電圧 省スペース： 1.6 x 1.6 mm ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 530 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 12 nC @ 10 Vmm。高さ = 2.3mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 Vmm。高さ = 2.39mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 69 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 307 W。トランジスタ構成 シングル。長さ 10.67mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 85pF。寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm。幅 = 3.86mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor