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onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 55 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：75 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)3750チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 55 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥1,698税込￥1,868

1袋(5個)

5日以内出荷

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 55 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3750 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V長さ = 10.67mm高さ = 4.83mmQFETR NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FQB5N90TMonsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(5個)

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仕様この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode5.4A 、 900 V 、 RDS ( on )2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途照明ピン数(ピン)2 + TabRoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)158最大動作温度(℃)150