「シンク上」の検索結果

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 15Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。動作温度 Max = +175℃。リード間隔 = 10.16mm。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2.2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 10.16mm。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

・6本の高性能ヒートパイプ。・Wings 4 120mm PWMファンによる完璧な風圧とほとんど聞こえない動作音。・非対称設計とヒートシンク上のカットアウトにより、高いRAMおよびVRMクーラー互換性。・ファン最大回転数でわずか29.8dB(A)を実現。・セラミック粒子による特別なブラックコーティングにより、完璧な熱伝導とエレガントな外観を実現。・オプションで排気口に2つ目のファンを取り付け、さらに高い風圧を得ることが可能

・ラジエーターやヒートシンク上で最高のパフォーマンスを発揮するよう最適化されたファンブレード。・小さなチップクリアランスと漏斗状のエアアウトレットを持つファンフレームにより、極めて高い風圧を実現。・最高回転数でも非常に静かな動作。・6極ファンモーターと流体軸受により、振動が少なく非常にスムーズな動作を実現。・プッシュピンとネジ止めによる防振取り付けオプション。・最大30万時間の超寿命。・オールブラックのデザインにハイグレードファンシールを使用したエレガントな外観

・ラジエーターやヒートシンク上で最高のパフォーマンスを発揮するよう最適化されたファンブレード。・小さなチップクリアランスと漏斗状のエアアウトレットを持つファンフレームにより、極めて高い風圧を実現。・最高回転数でも非常に静かな動作音。・6極ファンモーターと流体軸受により、振動が少なく非常にスムーズな動作を実現。・プッシュピンとネジ止めによる防振取り付けオプション。・最大30万時間の超寿命。・オールブラックのデザインにハイグレードファンシールを使用したエレガントな外観

EN60947-4-3、EN60950. 単相ソリッドステートリレー、SO8シリーズ. ほとんどの負荷に適した同期ソリッドステートリレーです。 干渉に対する高い耐性を実現する入力(transil)及び出力(VDR)向けの電圧保護機能を備えています。 広い制御範囲: 調整された制御電流で3 → 32 V dcです。 緑色LEDによる入力表示があります。 ソリッドステートリレーは、ヒートシンクの上に取り付ける必要があります。

EN60947-4-3、EN60950。単相ソリッドステートリレー、SO8シリーズ。ほとんどの負荷に適した同期ソリッドステートリレーです。干渉に対する高い耐性を実現する入力(transil)及び出力(VDR)向けの電圧保護機能を備えています。広い制御範囲: 調整された制御電流で3 → 32 V dcです。緑色LEDによる入力表示があります。ソリッドステートリレーは、ヒートシンクの上に取り付ける必要があります。

EN60947-4-3、EN60950. 単相ソリッドステートリレー、SO8シリーズ. ほとんどの負荷に適した同期ソリッドステートリレーです。 干渉に対する高い耐性を実現する入力(transil)及び出力(VDR)向けの電圧保護機能を備えています。 広い制御範囲: 調整された制御電流で3 → 32 V dcです。 緑色LEDによる入力表示があります。 ソリッドステートリレーは、ヒートシンクの上に取り付ける必要があります。

EN60947-4-3、EN60950. 単相ソリッドステートリレー、SO9シリーズ. ほとんどの負荷に適した同期ソリッドステートリレーです。 TMS ；sup>2 ；/sup>テクノロジーサイリスタ出力で長寿命を実現しています。 干渉に対する非常に高い耐性を実現する入力及び出力(VDR)向けの電圧保護機能を備えています。 広い制御範囲: 調整された制御電流で20 → 265 V ac/dcです。 緑色LEDによる入力表示があります。 ソリッドステートリレーは、ヒートシンクの上に取り付ける必要があります。

EN60947-4-3、EN60950。単相ソリッドステートリレー、SO9シリーズ。ほとんどの負荷に適した同期ソリッドステートリレーです。TMS ；sup>2 ；/sup>テクノロジーサイリスタ出力で長寿命を実現しています。干渉に対する非常に高い耐性を実現する入力及び出力(VDR)向けの電圧保護機能を備えています。広い制御範囲: 調整された制御電流で20 → 265 V ac/dcです。緑色LEDによる入力表示があります。ソリッドステートリレーは、ヒートシンクの上に取り付ける必要があります。

「タフネス」&「イージー」。シールベアリング採用で、IP64fの防滴・防油性を実現。耐軸荷重性能を強化。ラジアル50N、スラスト30Nを実現。コード斜め引き出し方式。横引き出しや後引き出し可能。逆接、負荷短絡保護回路付で信頼性向上

上面がヒートシンク形状で、効率良く放熱が出来る形状の熱対策アルミケースです。 産業用ファンレスPC・パワーアンプ・電源装置など、発熱の多い機器に最適です。 上カバー部と下カバー(フレーム幅140mm)にM3ナットが入るナットスライド用溝があります。

シャワーと泡沫ストレートの水流切替が可能なので、用途に合わせて使い分けができます。また、シャワーヘッドが引き出しできるスプレータイプなので、台所シンクのすみずみまで洗い流せます。 食器洗い機や浄水器への送水に必要な分岐口(湯・水)付き。送水の出し止めができる分岐バルブ付き。食器洗い機の給水ホースもワンタッチで接続できます。 分岐バルブ付きなので、食洗機に給水ホースがワンタッチで接続できます。 カチッ!とわかる「エコ位置クリック」でお湯のムダづかいを防ぎます。お湯が出る位置をクリック感でお知らせ。エコできる位置が分かるから、スマートにお湯のムダづかいを防ぎます。 シンク下にもぐらず上から取付け可能な上面施工タイプ

6mm径x6本のヒートパイプと2つのブロックに受熱するツインタワー設計により、ハイエンドクラスの性能を実現 主な変更点は、ヒートシンクのトップ部に、サンドブラスト仕上げのブラックトップカバーをマウント 干渉しにくく互換性を向上させたフィン設計とLGA1700対応の新型リテンションのバックプレートを金属製に変更 ツインタワー状の2ブロック構造により、両側のフィンにヒートパイプの熱を余すことなく熱輸送 フロントファンに薄型15mm厚ファンを搭載し、ヒートシンク設計を後方にずらしたオフセットデザインを採用 フィン上部やフィン後方部にカットを施し、マザーボード上のヒートシンクとの干渉を抑え、互換性を向上 ツインタワー型クーラーでありながら、高さを抑えた全高154mmのコンパクト設計 クーラー搭載用に特化した新設計フレームの採用によりパフォーマンスが向上 防振ラバーがファンの振動を吸収するため、防振性も抜群 ファンの動作はフロントが反時計回り、ミドルが時計回りとなる「2重反転方式」を採用 気流の乱れの低減、風量および静圧特性の向上によりハイレベルな冷却性能を誇る ヒートシンクの剛性と熱伝導率を高める0.4mm厚フィンを採用 Intel最新ソケット LGA1700対応、AMD最新ソケット AM5「RYZEN」対応 ヒートパイプには酸化を防止し、高級感溢れる「ニッケルメッキ処理」 厚みのある銅製受熱ベースプレートにより、CPUの発熱を確実に吸引 シリンジ(注射器型)容器入り、高性能ハイエンドグリス「Thermal Elixir 3」 1g(ヘラ付)付属 デュアルファン用Y字ケーブルが1本付属、PWMファンの2分岐が可能 フロントに15mm厚、ミドルに25mm厚、リアに25mm厚と最大3基のファンを搭載可能 ヒートシンクのベース部分にメタルバーを渡す「ブリッジ方式」のリテンションシステムのバックプレートが金属製にバージョンアップ 低回転～高回転までどの回転数にも最適な冷却性能を発揮するヒートシンク設計を採用

PIC32MX320 340 360 420 440 460 32ビットマイクロコントローラ. Microchip PIC32MX320 340 360 420 440 460ファミリのマイクロコントローラは、強力なMIPS M4Kコアをベースにした高性能な32ビットデバイスです。 充実したオンボードペリフェラルとその他の機能セットを搭載したこれらのMCU汎用デバイスは、USB通信を必要とする用途など、多様な用途に適しています。. マイクロコントローラの機能. MIPS32R M4KR 32ビットコア、5段パイプライン 80 MHzの最大周波数 1.56 DMIPS MHz (Dhrystone 2.1)性能、待機せずにフラッシュアクセス 単一サイクルの乗算ユニット及び高性能の除算ユニット コードのサイズを最大で40 %縮小するMIPS16eRモード 2セットの32コアレジスタファイル(32ビット)で、割り込みの待ち時間を低減 プリフェッチキャッシュモジュールでフラッシュからの実行速度を促進 動作温度範囲: -40 +105 ほとんどのPIC24/dsPICR DSCデバイスとピン互換あり 複数の電源管理モード 優先度を個別にプログラム可能な複数の割り込みベクトル フェールセーフクロックモニタモード オンチップの低電力RC発振器で構成可能なウォッチドックタイマによる信頼性の高い動作 内部8 MHz及び32 kHzの発振器 → 25 MHz水晶発振器. 周辺機器. 10ビットA/Dコンバータ(ADC) 16チャンネル 選択されたペリフェラルレジスタでAtomic SET、CLEAR、INVERT動作 最高4チャンネルのハードウェアDMA、自動データサイズ検出機能付き USB 2.0準拠のフルスピードデバイス及びOn-The-Go (OTG)コントローラは、専用のDMAチャンネルを搭載 CPU及びUSBクロック用の個別のPLL 2個のI2Cモジュール 2個のUARTモジュール 2個のSPIモジュール パラレルマスタ及びスレーブポート(PMP/PSP)、8ビットと16ビットのデータ及び最高16のアドレス行 ハードウェアリアルタイムクロック及びカレンダー(RTCC) 5つの16ビットタイマ カウンタ ペアを形成して2つの32ビットタイマを作成するオプションあり 5つのキャプチャ入力 5つの比較 PWM出力 5つの外部割り込みピン 最高80 MHzで切り替え可能な高速I/Oピン すべてのI/Oピン上で高電流シンク ソース(18 mA 18 mA) デジタルI/Oピン上で構成可能なオープンドレイン出力

PIC32MX320 340 360 420 440 460 32ビットマイクロコントローラ. Microchip PIC32MX320 340 360 420 440 460ファミリのマイクロコントローラは、強力なMIPS M4Kコアをベースにした高性能な32ビットデバイスです。 充実したオンボードペリフェラルとその他の機能セットを搭載したこれらのMCU汎用デバイスは、USB通信を必要とする用途など、多様な用途に適しています。. マイクロコントローラの機能. MIPS32R M4KR 32ビットコア、5段パイプライン 80 MHzの最大周波数 1.56 DMIPS MHz (Dhrystone 2.1)性能、待機せずにフラッシュアクセス 単一サイクルの乗算ユニット及び高性能の除算ユニット コードのサイズを最大で40 %縮小するMIPS16eRモード 2セットの32コアレジスタファイル(32ビット)で、割り込みの待ち時間を低減 プリフェッチキャッシュモジュールでフラッシュからの実行速度を促進 動作温度範囲: -40 +105 ほとんどのPIC24/dsPICR DSCデバイスとピン互換あり 複数の電源管理モード 優先度を個別にプログラム可能な複数の割り込みベクトル フェールセーフクロックモニタモード オンチップの低電力RC発振器で構成可能なウォッチドックタイマによる信頼性の高い動作 内部8 MHz及び32 kHzの発振器 → 25 MHz水晶発振器. 周辺機器. 10ビットA/Dコンバータ(ADC) 16チャンネル 選択されたペリフェラルレジスタでAtomic SET、CLEAR、INVERT動作 最高4チャンネルのハードウェアDMA、自動データサイズ検出機能付き USB 2.0準拠のフルスピードデバイス及びOn-The-Go (OTG)コントローラは、専用のDMAチャンネルを搭載 CPU及びUSBクロック用の個別のPLL 2個のI2Cモジュール 2個のUARTモジュール 2個のSPIモジュール パラレルマスタ及びスレーブポート(PMP/PSP)、8ビットと16ビットのデータ及び最高16のアドレス行 ハードウェアリアルタイムクロック及びカレンダー(RTCC) 5つの16ビットタイマ カウンタ ペアを形成して2つの32ビットタイマを作成するオプションあり 5つのキャプチャ入力 5つの比較 PWM出力 5つの外部割り込みピン 最高80 MHzで切り替え可能な高速I/Oピン すべてのI/Oピン上で高電流シンク ソース(18 mA 18 mA) デジタルI/Oピン上で構成可能なオープンドレイン出力

PIC32MX320 / 340 / 360 / 420 / 440 / 460 32ビットマイクロコントローラ. Microchip PIC32MX320 / 340 / 360 / 420 / 440 / 460ファミリのマイクロコントローラは、強力なMIPS M4Kコアをベースにした高性能な32ビットデバイスです。 充実したオンボードペリフェラルとその他の機能セットを搭載したこれらのMCU汎用デバイスは、USB通信を必要とする用途など、多様な用途に適しています。. マイクロコントローラの機能. MIPS32R M4KR 32ビットコア、5段パイプライン 80 MHzの最大周波数 - 1.56 DMIPS / MHz (Dhrystone 2.1)性能、待機せずにフラッシュアクセス 単一サイクルの乗算ユニット及び高性能の除算ユニット コードのサイズを最大で40 %縮小するMIPS16eRモード 2セットの32コアレジスタファイル(32ビット)で、割り込みの待ち時間を低減 プリフェッチキャッシュモジュールでフラッシュからの実行速度を促進 動作温度範囲: -40 → +105 ℃ ほとんどのPIC24/dsPICR DSCデバイスとピン互換あり 複数の電源管理モード 優先度を個別にプログラム可能な複数の割り込みベクトル フェールセーフクロックモニタモード オンチップの低電力RC発振器で構成可能なウォッチドックタイマによる信頼性の高い動作 内部8 MHz及び32 kHzの発振器 3 → 25 MHz水晶発振器. 周辺機器. 10ビットA/Dコンバータ(ADC) 16チャンネル 選択されたペリフェラルレジスタでAtomic SET、CLEAR、INVERT動作 最高4チャンネルのハードウェアDMA、自動データサイズ検出機能付き USB 2.0準拠のフルスピードデバイス及びOn-The-Go (OTG)コントローラは、専用のDMAチャンネルを搭載 CPU及びUSBクロック用の個別のPLL 2個のI2Cモジュール 2個のUARTモジュール 2個のSPIモジュール パラレルマスタ及びスレーブポート(PMP/PSP)、8ビットと16ビットのデータ及び最高16のアドレス行 ハードウェアリアルタイムクロック及びカレンダー(RTCC) 5つの16ビットタイマ / カウンタ ペアを形成して2つの32ビットタイマを作成するオプションあり 5つのキャプチャ入力 5つの比較 / PWM出力 5つの外部割り込みピン 最高80 MHzで切り替え可能な高速I/Oピン すべてのI/Oピン上で高電流シンク / ソース(18 mA / 18 mA) デジタルI/Oピン上で構成可能なオープンドレイン出力