「ダイオード 10e1」の検索結果

高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。

逆回復特性が向上した高耐圧のPN接合型高速整流素子です。

定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。

各種電装品のプラス・マイナス配線の逆接続保護

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 600V。シリーズ 1N4005。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 220A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

標準ツェナー電圧 = 9.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm。標準電圧温度係数 = 0.06%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 80mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

標準ツェナー電圧 = 6.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 8Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 90V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

ピーク平均順方向電流 = 1.2A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 38。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 52A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 9.5mm。幅 = 9.5mm。ワイヤリード付きブリッジ整流器、VS-1KAB-Eシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリードコンパクト構造 簡単に組み立て、取り付け、在庫管理可能

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 548V。最小ブレークダウン電圧 = 420V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AE。最大逆スタンドオフ電圧 = 342V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 2.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。直径 = 5.6mm。過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向1500 W、1V5KEシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 1 msでのピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 標準I ；sub>R ；/sub>: 1μA 10 V以上 UL認定: UL #E210467

ブリッジタイプ = 単相A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 38。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 52A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 9.5 x 9.5 x 10mm。幅 = 9.5mm。ワイヤリード付きブリッジ整流器、VS-1KAB-Eシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリードコンパクト構造 簡単に組み立て、取り付け、在庫管理可能

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

電流の逆流や回り込みの防止。 各種電装品のプラス ・マイナス配線の逆接続の保護にご使用頂けます。

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 30 x 4.6 x 20mm。高さ = 20mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DF-M。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。高さ = 3.3mm。UL、E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、DFxxM、DFxxMAシリーズ、Vishay Semiconductor. 小型のガラス不動態化チップジャンクション 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 自動装着機に対応 耐高サージ電流

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = KBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -50 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 23.7 x 7.1 x 19.3mm。高さ = 19.3mm。UL E54214. SIL基板実装、KBUシリーズ、Vishay Semiconductor. KBU4x、KBU6x、KBU8xシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 耐高サージ電流 絶縁電圧: 1500 Vrms パッケージのセンターに固定用の穴あり

ピーク平均順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 30 x 4.6 x 20mm。幅 = 4.6mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = KBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -50 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 23.7 x 7.1 x 19.3mm。幅 = 7.1mm。UL E54214. SIL基板実装、KBUシリーズ、Vishay Semiconductor. KBU4x、KBU6x、KBU8xシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 耐高サージ電流 絶縁電圧: 1500 Vrms パッケージのセンターに固定用の穴あり

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = KBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -50 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 23.7 x 7.1 x 19.3mm。幅 = 7.1mm。UL E54214. SIL基板実装、KBUシリーズ、Vishay Semiconductor. KBU4x、KBU6x、KBU8xシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 耐高サージ電流 絶縁電圧: 1500 Vrms パッケージのセンターに固定用の穴あり

TLP2362 は、高光出力のGaAlAs赤外発光ダイオードと高利得・高速の集積回路受光チップを組み合わせたフォトカプラです。TLP2362 では、周囲温度-40 → 125 ℃の環境で電源電圧2.7 → 5.5 Vの動作を保証します。また、SO6パッケージに収められています。TLP2362には、受光側にシールドを施し、±20 kV/μsの高い瞬時コモンモード除去を与えており、入出力間の耐ノイズ性に優れています。用途 ファクトリオートメーション プラズマディスプレイパネル 測定機器

シール方式は、供給圧力を弁シート部でバランスさせている圧力バランスポペット方式を採用。操作力が小さいため高頻度作動に適し、小形・大流量。 パッキンに無理な力をかけないオーバースプリング機構。高い耐久性を発揮。 シングルソレイド2・3・5ポート弁、低圧からも確実に作動。低圧仕様アクチュエータの駆使、セレクタ弁、デバイダ弁として多機能性を発揮。 ACソレノイドには、フライホイルダイオードを標準装備(DC24V用はオプション)。ソレノイドの焼損やうなりを解消。 多様なニーズに応える豊富なオプション。

フォトカプラ トランジスタ出力 TLP291 / TLP293シリーズ。東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。

東芝フォトカプラ トランジスタ出力 AC入力用。東芝のフォトカプラ製品です。反転並列接続された素子を搭載し、バイポーラ電源に適しています。このAC入力用フォトカプラはトランジスタ出力です。