「ダイオード 48v」の検索結果

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.417mm。SMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。

各種電装品のプラス・マイナス配線の逆接続保護

定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。SMT双方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

電流の逆流や回り込みの防止。 各種電装品のプラス ・マイナス配線の逆接続の保護にご使用頂けます。

逆回復特性が向上した高耐圧のPN接合型高速整流素子です。

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.237mm。幅 = 3.94mm。TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 3.5V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 35A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.42mm。幅 = 2.92mm。SMBJシリーズ400 W TVSダイオード、単方向. 単方向過渡電圧抑制ダイオードは、ピークパルス容量が400 Wで、コンパクトなDO214AB (SMB)表面実装パッケージに収められています。

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ローム整流ダイオード

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 548V。最小ブレークダウン電圧 = 420V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AE。最大逆スタンドオフ電圧 = 342V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 2.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。直径 = 5.6mm。過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向1500 W、1V5KEシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 1 msでのピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 標準I ；sub>R ；/sub>: 1μA 10 V以上 UL認定: UL #E210467