「ツェナーダイオード 12v」の検索結果

ダイオード構成 シングルV。実装タイプ スルーホール。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 100mA。最大ツェナーインピーダンス 2.5Ω。最大逆漏れ電流 2μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Max +200 ℃。ツェナーダイオード5 Surmetic、1N5347 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 1N53 シリーズは、 Surmetic 40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、隙間のない転送成形の熱硬化性プラスチック製成形パッケージを備えており、最も一般的な環境条件で保護します。電圧レギュレータは厳格な制限を備え、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映した優れた動作特性を備えています。外面は耐腐食性で、リードは簡単にはんだ付けできます. 用途. 産業用

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

電流の逆流や回り込みの防止。 各種電装品のプラス ・マイナス配線の逆接続の保護にご使用頂けます。

高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 9Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 - DO-41 ( DO-204AL )パッケージ - ダブルスラグタイプ構造

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/K。ツェナーダイオード300 mW、MM5Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、DDZxxxxシリーズ、Diodes Inc. 精密ツェナーダイオード(500 mW) ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm。標準電圧温度係数 = 6mV/K。ツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.8 x 1.35 x 0.9mm。自動車規格 = AEC-Q101mA

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30 Ω @ 20 mA， 600 Ω @ 0.25 mA。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。標準電圧温度係数 = 0.07%/℃。ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 50mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.6 x 2.92 x 2.1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード1 W、SMAZシリーズ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 9Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。標準電圧温度係数 = 6 → 10mV/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX79Cシリーズ、Fairchild Semiconductor

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1000 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 21mA。最大ツェナーインピーダンス = 9Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 5.2 x 2.7 x 2.7mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N47xxAシリーズ、Taiwan Semiconductor

定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。