「ツェナーダイオード 24v」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 10.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。

定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 3。テスト電流 = 5.2mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 250nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mA

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5.2mA。最大ツェナーインピーダンス = 33Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 70Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 22mV/K。このシリーズのツェナーダイオードは、便利な表面実装プラスチック SOT-23 パッケージで提供されています。これらのデバイスは、最小スペース要件で電圧調整を行うように設計されています。携帯電話、ハンドヘルドポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。FR-4 または FR-5 ボードの定格出力 257mW ツェナー故障電圧範囲 - 2.4V ～ 75V 最適な自動基板アセンブリ用に設計されたパッケージです 高密度アプリケーション用の小型パッケージサイズ 人体>モデルごとのクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格 機械的な特性

各種電装品のプラス・マイナス配線の逆接続保護

IEC60947-1、EN60947-1、IEC 60947-4-1、EN 60947-4-1、IEC 60947-5-1、EN 60947-5-1。電圧ピークに対して接触器コイルを減衰する場合、NOコンタクトのオフディレー及びNCコンタクトのオンディレーは増加します(ノイズ抑制ダイオード6 → 10倍、ダイオードアセンブリ2 → 6倍、バリスタ+2 → 5 ms)。コンタクタリレー - 3RH2シリーズ。耐候性に優れたフィンガーセーフコンタクタリレーです。 RC素子、バリスタ、ダイオード、またはダイオードアセンブリ製品(遮断時間を短くするために、ダイオードとツェナーダイオードを組み合わせる)を組み込んで、コイルのオープニングサージを減衰させることができます。サイズ： S00 低電圧・低電流で高度な接触安定性を実現 電流 1 mA、電圧 17 Vのソリッドステート回路での使用に最適 スナップオン補助スイッチブロックの使用により、最大4コンタクトまで拡張可能