「ツェナーダイオード 3v」の検索結果

定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。

高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。

標準ツェナー電圧 = 3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 29Ω。最大逆漏れ電流 = 50μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 3 W。パッケージタイプ = SMB。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 96.1mA。最大ツェナーインピーダンス = 7.5Ω。最大逆漏れ電流 = 25μA。寸法 = 4.32 x 3.56 x 2.13mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 3 W。パッケージタイプ = SMB。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 12Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.6 x 3.95 x 2.28mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor