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大きな衝撃力の緩和に有効 ： 接触時のあたりが柔かく、たわみ値とともにばね定数が増大し、大きな衝撃力の円滑な吸収、緩和が可能です。 音の発生防止：大きな負荷変形に耐え、かつ磨耗もほとんどありません。また接触時に騒音を発しません。 取付け保守が簡単 ： 取付けは非常に簡単であり、メンテナンスは不要です。

ハイバッファーKUBはウレタンエラストマーの発泡体を用いた衝突緩衝体です。 ウレタンエラストマーは特殊気泡構造をしており、大きく変形させることができるため、低い衝撃力と高いエネルギー吸収能力を実現しました。 高性能緩衝器として、クレーンや搬送ラインなど、広い分野で使われています。 高所取付けの際、ウレタンフォームの劣化による落下事故防止のために、安全ネットを必ず使用して下さい。

バッファAss'y(取付ナット付)

接触時のあたりが軟らかく、たわみ値とともにばね定数が増大し、大きな衝撃力の円滑な吸収、緩和が可能です。 大きな負荷変形に耐え、かつ磨耗もほとんどありません。また接触時に騒音を発しません。 取付けは非常に簡単であり、メンテナンスは必要ありません。

ゴムの衝撃緩和部品です。両側にめねじが付いています。

バッファAss'y(取付ナット付)

・ナット材質の追加 [New]。・ストローク中のバッファ反力が一定。・ワークの高低差を吸収、ワークへの衝撃を緩和。・低発塵。 スプリングの擦れによる発塵なし(スプリングレス)。・回り止め。 4極マグネットで回転を抑制。・銅・亜鉛不使用。・二次電池製造工程に対応

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 7.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。高さ = 2.34mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS