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omron(オムロン)シグナルリレー G3VM
用途通信機器、各種計測機器、セキュリティ機器、産業機器
1個ほか
919 税込1,011
翌々日出荷から81日以内出荷
バリエーション一覧へ (15種類の商品があります)

形G6Dと同一形状でAC/DC両用、DC専用をシリーズ化。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。
1個
829 税込912
当日出荷から31日以内出荷
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仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms光リレー、MOSFET出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
579 税込637
当日出荷


小型のリレーと駆動回路がセットになったキットです。 マイコンのポートなどで直接駆動できない消費電流の大きな機器を制御するときに便利です。
種類工作キット 基板寸法(mm)25×35 消費電流(mA)約35 電源電圧(V)DC4-5 入力感度約2V(min) 容量(リレー)0.5A-125VAC、1A-24VDC 再生紙使用マーク適合
1個
698 税込768
当日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 80 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 5μsフォトカプラ バイポーラ出力、ルネサスエレクトロニクス. 汎用Trフォトカプラ. 海外安全規格:UL認定品 PS2561A-1-A、PS2761-1-AはULの他にBSI、北欧 PS2581AL1/AL2-AはULの他に、(VDE)、BSI、北欧 PS2861-1-AはULの他に、BSI (付加絶縁)
1個
218 税込240
当日出荷

サーミスタは温度が変化すると抵抗値が変化する温度センサです。そのサーミスタを使って温度が上がるとON / 下がるとOFFする温度スイッチを作ります。60V 1A(DC)定格のフォトMOSリレーを使っていますので小型DCファンやブザーなどいろいろなものをコントロールできます。
種類その他 商品構成フォトMOSリレー:TLP592A×1、LED:赤×4、サーミスタ:10kΩ×1、抵抗:270Ω×1、抵抗:1.6kΩ×4、抵抗:5.6kΩ×1、ジャンプワイヤー:10cm×9、ブレッドボード×1
1個
599 税込659
8日以内出荷

ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 2.5 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 60 V最大電圧制御 = 1.7 V電圧制御範囲 = 1.1 → 1.7 V最小負荷電流 = 2.5 A接点構成 = SPST出力装置 = MOSFET最大ターンオン時間 = 3.2 ms寸法 = 9.9 x 6.6 x 3.68mm高さ = 3.7mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,198 税込1,318
5日以内出荷



1個ほか
179 税込197
当日出荷から81日以内出荷
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形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。 AC/DC両用、1A負荷開閉可能。 AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。
質量(g)約20 負荷電圧(V)AC3~264、DC3~125 出力の適合負荷1.0A AC5~240V、DC5~100V 絶縁方式フォト・ボル・カプラ 絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて) 使用周囲温度(℃)-30~+85(ただし、氷結および結露しないこと) 端子構造プラグイン端子 使用周囲湿度45~85%RH 定格負荷電圧(V)DC5~100 AC5~240 保存温度範囲(℃)-30~+100(ただし、氷結および結露しないこと) 漏れ電流(mA)開路時/1×10-2以下(DC125Vにて)、0.1以下(AC200Vにて) 復帰電圧DC1V以上 耐衝撃(m/s2)1000 耐振動10~55~10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm) 出力オン抵抗(Ω)2.4以下 負荷電流(A)100μA~1A サージオン電流耐量(A)10(10ms) RoHS指令(10物質対応)対応 耐電圧(V/min)(入出力間)AC2500 50/60Hz 商品タイプリレー同一形状 ゼロクロス機能
1個
1,898 税込2,088
当日出荷
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ローコストなプリント基板実装タイプ。 高信頼性が要求されるFA機器用SSR。 入力DC3~28V、出力AC75~264V。 入力DC3~28V、出力DC3~52.8Vと広範囲。 出力の適用負荷は2Aと3Aを用意。 形状はフラットタイプとバーチカルタイプが選べます。 RoHS適合。
1個
999 税込1,099
当日出荷から56日以内出荷
バリエーション一覧へ (44種類の商品があります)



ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 15 μA取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 0.8 Vスイッチングタイプ = 直接電圧制御範囲 = 0 → 0.8 Vターミナルタイプ = 8ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 0.28ms寸法 = 9.65 x 6.35 x 3.56mm長さ = 9.7mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
22,980 税込25,278
7日以内出荷

最大負荷電流 = 0.25 A。取り付けタイプ = 基板実装。最大負荷電圧 = 350 V。最大電圧制御 = 1.5 V。ターミナルタイプ = 表面実装。出力装置 = MOSFET。定格電圧範囲 = 350V ac。寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm。奥行き = 6.5mm。オプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
3,298 税込3,628
翌々日出荷

ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 0.2 A取り付けタイプ = 表面実装最大負荷電圧 = 60 V最小負荷電圧 = -60 V最大電圧制御 = 0.8 Vスイッチングタイプ = AC/DC 、 DC のみ接点構成 = SPST出力装置 = MOSFETリレータイプ = PhotoMOSFETシリーズ = ASSR-1218ms寸法 = 4.3 x 4.4 x 2mm奥行き = 4.4mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
31,980 税込35,178
7日以内出荷

仕様Panasonic DIP8 ピンは絶縁性が強化されています。NO と NC の両方が組み込まれています。強化絶縁: 5 、 000 V 約 1 フォーム A 及び 1 フォーム B フォト MOS のセットの実装面積と比べて 1/2 のスペース 1 フォーム A 及び 1 フォーム B 用途に適合します さらに、 2 つの独立した 1 フォーム A と 1 フォーム B で使用します 低レベルアナログ信号を制御 高感度及び高速応答 低レベルオフ状態漏洩電流 取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成2 x SPNO 範囲AWQ 最大負荷電流(A)1.5 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)60 最小負荷電圧(V)48
1個
949 税込1,044
7日以内出荷

仕様Panasonic DIP8 ピンは絶縁性が強化されています。NO と NC の両方が組み込まれています。強化絶縁: 5 、 000 V 約 1 フォーム A 及び 1 フォーム B フォト MOS のセットの実装面積と比べて 1/2 のスペース 1 フォーム A 及び 1 フォーム B 用途に適合します さらに、 2 つの独立した 1 フォーム A と 1 フォーム B で使用します 低レベルアナログ信号を制御 高感度及び高速応答 低レベルオフ状態漏洩電流 取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成2 x SPNO 範囲AWQ 最大負荷電流(A)0.3 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)400 最小負荷電圧(V)320
1個
999 税込1,099
7日以内出荷

ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 0.12 A取り付けタイプ = 表面実装最大負荷電圧 = 400 V最小負荷電圧 = -400 V最大電圧制御 = 0.8 Vスイッチングタイプ = AC/DC 、 DC のみターミナルタイプ = 4ピン出力装置 = MOSFETリレータイプ = PhotoMOSFET最大ターンオン時間 = 1ms寸法 = 4.3 x 4.4 x 2mm高さ = 2mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
45,980 税込50,578
7日以内出荷

ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 0.6 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 60 V最大電圧制御 = 1.65 V電圧制御範囲 = 1.1<arrow/>1.7 V最小負荷電流 = 0.6 A出力装置 = MOSFET寸法 = 4.3 x 4.4 x 2mm動作温度 Min = -40℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
54,980 税込60,478
7日以内出荷

ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 1 A取り付けタイプ = 表面実装最大負荷電圧 = 60 V最小負荷電圧 = -60 V最大電圧制御 = 0.8 Vスイッチングタイプ = AC/DC 、 DC のみ接点構成 = SPST出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = SOシリーズ = ASSR-1510ms寸法 = 4.3 x 4.4 x 2mm高さ = 2mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
78,980 税込86,878
7日以内出荷

ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 2.5 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 60 V最小負荷電圧 = -60 V最大電圧制御 = 1.7 V電圧制御範囲 = 1.1 → 1.7 V最小負荷電流 = 2.5 A接点構成 = SPST出力装置 = MOSFET寸法 = 9.65 x 6.35 x 4.19mm高さ = 4.2mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,298 税込1,428
5日以内出荷

ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 0.2 A取り付けタイプ = 表面実装最大負荷電圧 = 60 V最小負荷電圧 = -60 V最大電圧制御 = 0.8 Vスイッチングタイプ = AC/DC 、 DC のみ接点構成 = SPST出力装置 = MOSFETリレータイプ = PhotoMOSFETシリーズ = ASSR-1218ms寸法 = 4.3 x 4.4 x 2mm動作温度 Min = -40℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
24,980 税込27,478
7日以内出荷

機器内蔵タイプの小型形状であり、取りつけピッチを統一。バリスタを内蔵し、外来サージの吸収効果に優れています。動作表示灯により動作の確認が可能。安全のための保護カバー付。海外規格UL、CSA規格は標準タイプで取得。
1個
2,598 税込2,858
当日出荷から56日以内出荷
バリエーション一覧へ (65種類の商品があります)



パソコンや各種小型端末のRS-232Cポートを通して10個の半導体リレーをON/OFFできる汎用入出力ボードです。コントローラーにはワンチップCPU(PIC16F628A)を搭載しており、ホストパソコンからは簡単なコマンド(ASCII文字列)を送るだけで簡単にリレーをコントロールできます。出力用半導体リレーにはMOSFETリレーを採用しましたので、多様な負荷に対応できます。また、半導体リレーのため、動作音が無く、開閉回数による寿命がありません。本ボードでは、汎用のRS-232Cポートを持ちASII文字列を送ることができるPCやボードであれば、機種に関係なく接続することができます。
種類工作キット インターフェースRS-232Cレベル、9600bps、8bit、パリティ無し、9pinオスDCE結線 コマンド個別I/Oコントロールコマンド モードリモート用電源 ON/OFF 接点容量AC/DC60V0.4A (初期実装分AQV212またはG3VM-61B1での値) 端子電源/2.1Φセンター+(プラス)、ACアダプタ入力 電源(V)DC9~12 電流(mA)75(9V時最大)、100(12V時最大) 出力10組、無極性半導体リレー接点、スイッチ線引き出し3線式 入力4組、対GND接続接点入力、予備5V電源端子付き
1個
11,980 税込13,178
3日以内出荷

アナログ信号(入力8点)のモニターやロギングが可能な計測器。SDカードに記録可能。
仕様入出力端子台:着脱式3.81mmピッチ8極x2、保存ファイル:CSV形式、1ファイル当たり最大約200Mバイト 付属品ユーティリティCD、ミニUSBケーブル(1.8m)、取扱説明書、保証書 質量(g)約170 電源USBバスパワー、外部DC電源(DC8~30V)、ACアダプタ 湿度(%RH)0~85(結露なきこと) 寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)約86×103×30 分解能電圧レンジ:24bit、電流レンジ:23bit 保存温度(℃)-20~60 入力インピーダンス(Ω)1M 測定確度±30Vレンジ:±(0.05%rdg+3mV)、±10Vレンジ:±(0.05%rdg+2mV)、±1Vレンジ:±(0.05%rdg+0.2mV)、±100mVレンジ:±(0.05%rdg+50μV)、0-20mA電流レンジ:±0.05%FS 取付け方法据え置き、DINレール 対応メディアSDHCカード(最大32GB) サンプリング周期10ミリ秒~60分(10ミリ秒はAI1のみ、20ミリ秒はAI1~3の測定に限定されます) 動作温度(℃)-10~50 チャンネル間絶縁350V(ACピーク/DC)、フォトMOS FETリレー絶縁 入力レンジ電圧:±100mV/±1V/±10V/±30V、電流:0~20mA(0-20mAレンジは入力端子台に電流検出用抵抗(2500Ωまたは500Ω、精度±0.1%以下)の外付けが必要です)、熱電対:K/J/T/E/R/S/B/N アナログ入力8チャンネル 通信インターフェースミニUSBポート、Wi-Fi(IEEE802.11b/g/n)
1個
54,980 税込60,478
9日以内出荷