仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200Aメーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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¥359
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mm動作温度 Max = +150 ℃メーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥459
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V長さ = 9.5mmピーク逆回復時間 = 500ns直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 125A高速回復整流器(1.4 A → 20 A)、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。
RoHS指令(10物質対応)対応
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-64ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 4mm幅 = 4.3mm高さ = 4.3mmピーク逆回復時間 = 250nsピーク逆電流 = 1μA高速回復整流器(1.4 A → 20 A)、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。
RoHS指令(10物質対応)対応
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高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。
タイプアキシャル
電圧(V)(せん頭逆電圧)600
温度(℃)(接合部温度)150
保存温度(℃)-55~150
用途PN接合より順方向の立ち上がり電圧が低く、スイッチング速度が極めて速く、高速低VFダイオードとして最適の整流素子です。
電流の逆流や回り込みの防止。
各種電装品のプラス ・マイナス配線の逆接続の保護にご使用頂けます。
用途DC12V車専用
適合DC12V車専用
全長(mm)285
最大電流(A)6
適合電線径1.25sq相当
関連資料よくある商品Q&A(0.2MB)
1袋(2個)
¥499
税込¥549
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実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 90V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
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¥819
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実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
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用途電流の逆流・回り込みを防止する。
適合DC12V車専用
全長265mm
コード長さ(mm)265
入数2個
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様ダイオード構成:シングル 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 ピーク逆繰返し電圧:600V 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:DO-214AB (SMC) 、 ダイオードタイプ:シリコンジャンクション 、 ピン数:2 、 最大順方向降下電圧:1.15V 、 長さ:7.11mm 、 幅:6.22mm 、 高さ:2.3mm 、 動作温度 Min:-65 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.6V長さ = 9.5mmピーク逆回復時間 = 30ns直径 = 5.3mmピーク逆電流 = 20μA超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。
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標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 80mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用
RoHS指令(10物質対応)対応
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税込¥1,011
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 1650V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-64ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.5V長さ = 4mm幅 = 4.3mm高さ = 4.3mmピーク逆回復時間 = 20μs動作温度 Max = +140 ℃標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。
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実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMP。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。
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