仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mm動作温度 Max = +150 ℃メーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥459
税込¥505
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様ダイオード構成 = スタッドアノード整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.35V長さ = 20.08mm幅 = 17.4mm高さ = 22.9mm動作温度 Min = -65 ℃標準回復整流器、40 A超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。
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1個
¥1,798
税込¥1,978
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = P600ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V長さ = 9.1mmピーク逆回復時間 = 2.5μs直径 = 9.1mm寸法 = 9.1 (Dia.) x 9.1mm標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。
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1袋(10個)
¥1,298
税込¥1,428
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仕様ダイオード構成:コモンカソード、1チップ当たりのエレメント数:2、ピーク逆繰返し電圧:650V、実装タイプ:スルーホール、パッケージタイプ:TO-247、ダイオードタイプ:SiCショットキー、ピン数:3、最大順方向降下電圧:2.4V、長さ:16.13mm、幅:21.1mm、高さ:5.21mm、パワー消費:136.3W、Z-Rec(TM)シリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。; 定格電圧: 600、650、1200、1700 ; ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 ; 温度に依存しないスイッチング動作 ; 超高速スイッチング、最小損失 ; 正温度係数順方向電圧 ; デバイスは熱暴走せずに並列可能 ; ヒートシンク要件を削減 ; PFCブーストダイオード用途向けに最適化
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥26,980
税込¥29,678
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業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオード
タイプダイオード:高速スイッチング整流器、実装:表面実装、整流:アバランシェ
電流(A)ピーク非繰返し順方向サージ:30、最大連続 順方向:1.5
電圧(V)ピーク逆繰返し:1000、最大順方向降下:1.6
構成ダイオード:シングル
ピン数(ピン)2
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パッケージDO-214AC (SMA)
1チップ当たりのエレメント数1
テクノロジーダイオード:シリコンジャンクション
ピーク逆回復時間(ns)120
1袋(25個)
¥1,598
税込¥1,758
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1リール(2500個)
¥8,998
税込¥9,898
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1セット(50個)
¥4,998
税込¥5,498
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仕様実装タイプ:パネルマウント 、 パッケージタイプ:TO-240AA 、 ピン数:3 、 長さ:92mm 、 幅:22.6mm 、 高さ:35mm 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 IGBTモジュール、Vishay. Vishayの高効率IGBTモジュールは、PT、NPT、トレンチIGBTの各テクノロジから選べます。 製品にはシングルスイッチ、インバータ、チョッパ、ハーフブリッジ、カスタム構成品などがあります。 スイッチモード電源、無停電電源、溶接、モータドライブ、力率補正システムなどのメインスイッチングデバイスでの使用を念頭に設計されています。 主な用途には、ブースト / バックコンバータ、フォワード / ダブルフォワードコンバータ、ハーフブリッジ、フルブリッジ(Hブリッジ)、3相ブリッジなどがあります。. 幅広い業界標準パッケージスタイル ヒートシンクに直接取り付け PT、NPT、トレンチIGBTテクノロジを選択可能 低VCE(on) IGBT スイッチング周波数: 1 kHz → 150 kHz 堅実な過渡特性 高絶縁電圧: 最大3500 V 100 %鉛(Pb)フリー、RoHS対応 低熱抵抗 広い動作温度範囲(-40 → +175 ℃)
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