「表面抵抗」の検索結果

JIS C1302-2002に準拠した安全設計のデジタル絶縁抵抗計です。 オールインワン ケース一体型 防塵防滴(IP54規格)設計。 3レンジ切替式/バックライト付大型液晶表示/最後の測定値を自動ホールド機能が付いてます。

絶縁抵抗のテスト電圧は7レンジ搭載で、使用するレンジだけの設定が可能。絶縁抵抗値はLEDレベルメータでも表示。ブレーカーカバーの穴から直接測定できる測定プローブを搭載。測定プローブは着脱式で45度きざみで、取り付け可能。液晶数値部の小数点位置は固定。誤操作防止のため、オートロックボタン機能を搭載

表面抵抗測定に必要なものが全てセットになっています。 小型軽量で、持ち運びやすいキャリングケース付きです。 表面抵抗の測定と同時に温度・湿度の測定もできます。 IEC61340-4-1基準のプローブが付属しています。 点間抵抗、接地間抵抗、体積抵抗測定ができます。 RoHS、CE対応

配管表面測定用の測温抵抗体で既に稼働しているプラントや空調の配管で後から温度計測が必要になった場合や、配管が細くて温度センサーを挿入する事ができない場合でも温度計測を可能にします。

界面活性剤が添付されておらず、非汚染性です。非帯電性で透明ですので内容物が確認できます。 樹脂自身に帯電防止効果がある為、湿度依存性がほとんどなく、安定した表面抵抗値を長時間持続します。

パッケージタイプ = TSOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm

パッケージタイプ = WDFN。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 8。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 3 x 1.9 x 0.75mm

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2 x 2 x 0.72mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 30 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.7 A RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 5.0 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。パワー MOSFET 170 mA 、 100 V 、 N チャンネル SOT-23品番の先頭が「 BVSS 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.0 A RDS ( ON ) = 50 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 4.5 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ： MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル>： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.69 W。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。この小型表面実装 MOSFET の低 RDS ( on )は、電力損失を最小限に抑え、消費電力を節約し、小型の電力管理回路での使用に最適です。主な用途は、 dc コンバータ、ポータブル及びバッテリ駆動製品(コンピュータ、プリンタ、 PCMCIA カード、携帯電話、コードレス電話など)の電源管理などです。低 RDS ( on )：高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 DC-DC コンバータ 電力管理

極小サイズの潰れたねじ、特殊ねじなどの取り外しに最適です。ESD対応グリップです。グリップの表面抵抗値約1×10の6乗～10の7乗Ω/sqです。ポケットサイズの120mm。

パッケージタイプ = D2PAK。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 158 W。ピン数 = 2 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

優れた静電気拡散性を兼ね備えた帯電防止タイプのポリエチレン(PE)フィルムです。フィルム(樹脂)自体に帯電防止効果があるため、湿度依存性がほとんど無く、安定した表面抵抗値を長時間持続します。

ポリエチレン(PE)原料にカーボンブラックを特殊に練り込むことで、湿度に依存せず、表面抵抗値を10×4乗Ω以下(計測値)を実現し、優れた導電性を兼ね備えた黒色不透明タイプのPEフィルムです。

優れた静電気拡散性を兼ね備えた帯電防止タイプのポリエチレン(PE)フィルムです。フィルム(樹脂)自体に帯電防止効果があるため、湿度依存性がほとんど無く、安定した表面抵抗値を長時間持続します。

ワンタッチスプレー式で超微粒子の霧が必要な箇所に行きわたり、均一に塗布できます。 低湿度下において10の7乗Ω/□の表面抵抗値を保持します。 無色透明でベタツキがない、きれいな皮膜を形成します。 アルコール溶液ですから、極めて短時間に乾燥被膜を形成することが出来ます。

ポリエチレン(PE)原料にカーボンブラックを特殊に練り込むことで、湿度に依存せず、表面抵抗値を10×4乗Ω以下(計測値)を実現し、優れた導電性を兼ね備えた黒色不透明タイプのPEフィルムです。

キャビネットデザインを変更せずにEMC・RFI対策が可能です。ゴムパッキンに特殊導電シートを貼り付けています。表面抵抗は8 Ωです。ワイヤー入りで、差し込むだけで取り付けできます。