「1n4148 ダイオード」の検索結果

高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。

定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.4mm。幅 = 1.7mm。高さ = 1.7mm。寸法 = 1.75 (Dia.) x 3.4mm。直径 = 1.75mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = SOD-523。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.3mm。幅 = 0.9mm。高さ = 0.7mm。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大順方向電流 = 150mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Max = +175 ℃。高さ = 4.56mm。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。直径 = 1.91mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

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