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ON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホールON SEMICONDUCTOR
329税込362
1袋(10個)ほか
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GF063シリーズ 単回転型 サーメットトリマ (トリマポテンショメータ ) 東京コスモス電機GF063シリーズ 単回転型 サーメットトリマ (トリマポテンショメータ )東京コスモス電機(23件のレビュー)
46税込51
1個
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種類が豊富高性能、高信頼性(貴金属合金マルチ接点ワイパーの採用)自動調整対応タイプつき、調整用ドライバーの挿入が容易密封構造につき、各種洗浄液による洗浄が可能シャフト径が大きく、市販の調整ドライバー使用可
抵抗変化特性直線型抵抗値許容差(%)±20(±10)抵抗体サーメット実装方法スルーホール形状上面調整使用温度範囲(℃)-55~+125定格電力(W)0.5(70℃)、0(125℃)耐電圧900V AC 1分間絶縁抵抗(MΩ)1000以上(500V DC)温度係数(抵抗)±100ppm/℃最大使用電圧(V)250 DCまたは定格電力のいずれか小さい方抵抗値(残留)1%または1Ωの大なる方以下接触抵抗(Ω)(変化)1%又は1Ωの大なる方以下強度(端子)9.8N min[1kgf](引っ張り)、3time min(90°曲げ)(シャフト)9.8N min[1kgf](押し強度)回転トルク(mN・m[gfcm])0.98~19.6[10~200]回転角度(°)(電気的)210±10(機械的)250±10ストップ強度(mN・min[kgf・cm min])49.0[0.5]
RV30シリーズ 炭素系可変抵抗器(ポテンショメータ通産機器用) 東京コスモス電機RV30シリーズ 炭素系可変抵抗器(ポテンショメータ通産機器用)東京コスモス電機(30件のレビュー)
799税込879
1個
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JIS準拠品です。
スイッチなし寸法(Φmm)30シャフト形状溝形抵抗体炭素皮膜直径(Φmm)31±1シャフト長さL(mm)20抵抗変化特性直線形種別1軸単連形耐電圧AC1000V 1分間最大使用電圧(V)DC500または定格電力のいずれか小さい方抵抗値(残留)3Ω以下回転トルク(mN・m[gfcm])5~30[51~306]回転角度(°)(電気的)280±10(機械的)300±5抵抗値許容差(%)±10ストップ強度(mN・min[kgf・cm min])1000[10.2]絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC1000V)付属品取付ナット、平ワッシャー、スプリングワッシャー締付け能力(ナット)1470mN・m max[15kgf・cm max]接触抵抗(Ω)(変化)3%又は3Ωの大なる方以下特性(抵抗変化)直線形半田付け性235℃、5sec仕様炭素系形状パネル取り付け形使用温度範囲(℃)-10~+85シャフト長さ(mm)20
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
279税込307
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
OEP オーディオトランス OEPOEP オーディオトランスOEP(2件のレビュー)
2,298税込2,528
1個
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RV24シリーズ 炭素系可変抵抗器 (ポテンショメータ 通産機器用) 東京コスモス電機RV24シリーズ 炭素系可変抵抗器 (ポテンショメータ 通産機器用)東京コスモス電機(34件のレビュー)
529税込582特価
1個
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JIS準拠品です。
直径(Φmm)24.6±0.5抵抗体炭素皮膜付属品取付ナット、平ワッシャー、スプリングワッシャー種別1軸単連形形状パネル取り付け形使用温度範囲(℃)-10~+85耐電圧AC1000V 1分間締付け能力(ナット)1470mN・m max[15kgf・cm max]絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC1000V)シャフト形状溝形抵抗値(残留)3Ω以下接触抵抗(Ω)(変化)3%又は3Ωの大なる方以下回転トルク(mN・m[gfcm])5~30[51~306]半田付け性235℃、5sec回転角度(°)(電気的)280±10(機械的)300±5抵抗値許容差(%)±10ストップ強度(mN・min[kgf・cm min])900[9.18]
Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS東芝
1,998税込2,198
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
トランジスタ用小型トランス 橋本電気(SANSUI)トランジスタ用小型トランス橋本電気(SANSUI)(58件のレビュー)
839税込923特価
1台
当日出荷から9日以内出荷
STシリーズは主として信号伝送用として使用され、高性能、高信頼性、高品質で広く各分野で高く評価されています。
単回転型 サーメットトリマ GF063シリーズ 東京コスモス電機単回転型 サーメットトリマ GF063シリーズ東京コスモス電機(10件のレビュー)
38税込42特価
1個
当日出荷から11日以内出荷
種類が豊富 高性能、高信頼性(貴金属合金マルチ接点ワイパーの採用) 自動調整対応タイプつき、調整用ドライバーの挿入が容易 密封構造につき各種洗浄液による洗浄が可能 シャフト径が大きく、市販の調整ドライバー使用可
抵抗値(Ω)全/10~2M、残留/1%又は1Ωの大なる方以下使用温度範囲(℃)-55+125定格電力(W)0.125(70℃)、0(125℃)耐熱性(はんだ)350℃ 3sec絶縁抵抗(MΩ)1000以上(500V DC)動作温度低温/-55℃ 0.5W 2hour、高温露出/+125℃、250hours、温水浸漬/+85℃hot water 1minute寿命(回転)100サイクル、(負荷)70℃ 0.5W 1000hours、(耐湿負荷)+40℃、90~95%RH 0.5W 500hours耐衝撃性100G 6msec. 6directions for 3times each、熱/-55℃、+125℃(30minutes) 5cycles耐振動高周波/10~2KHz 振幅(ampitude) 1.5mm(2G) 12hours耐湿性-10℃~65℃(90~95%RH) 0.5W 240hours最大使用電圧(V)250V DC又は定格電力のいずれか小さい方強度ストップ/49mN・min、端子/9.8N min(1kgf)(引っ張り)、3 time min.(90°曲げ)、シャフト衝撃/9.8N min(1kgf)(押し強度)回転トルク(mN・m[gfcm])0.98~19.6[10~200]耐溶剤性クロロセン、アルコール等温度抵抗±100ppm/℃抵抗値許容差(%)±20(±10)耐電圧(V/min)900抵抗変化特性直線性電気的回転角度(°)210±10機械的回転角度(°)250±10
RV16シリーズ ポテンショメータ通産機器用 東京コスモス電機RV16シリーズ ポテンショメータ通産機器用東京コスモス電機(14件のレビュー)
599税込659
1個
当日出荷から3日以内出荷
JIS準拠品です。
仕様炭素系種別1軸単連形直径(Φmm)16.8±0.5使用温度範囲(℃)-10~+85定格電力(W)0.1(40℃)、0(85℃)耐電圧AC500V 1分間絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500V)シャフト形状溝形最大使用電圧(V)DC200または定格電力のいずれか小さい方抵抗値(残留)3Ω以下接触抵抗(Ω)(変化)3%又は3Ωの大なる方以下回転トルク(mN・m[gfcm])2~20[20.4~357]特性(抵抗変化)直線形半田付け性235℃、5sec回転角度(°)(電気的)220±10(機械的)260±10抵抗値許容差(%)±10ストップ強度(mN・min[kgf・cm min])300[3.06]抵抗体炭素皮膜抵抗変化特性直線形
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
2,298税込2,528
1袋(200個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
炭素皮膜可変抵抗B 共立電子産業炭素皮膜可変抵抗B共立電子産業(6件のレビュー)
119税込131
1個
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サイズ:シャフト:15mm、シャフト径:Φ6mm,本体外形:Φ17mm
用途各教科の授業や学習活動の補助教材やワークショップ用として。
トランス 大阪高波トランス大阪高波(3件のレビュー)
1,398税込1,538
1個
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端子形状ラグ形状BHA型式単相複捲変圧器周波数(Hz)50/60定格連続入力電圧(V)100冷却方式乾式自冷耐電圧(V/min)1500
トリマポテンショメータ CT-6シリーズ ニデックコンポーネンツ(旧:日本電産コパル電子/フジソク)トリマポテンショメータ CT-6シリーズニデックコンポーネンツ(旧:日本電産コパル電子/フジソク)(3件のレビュー)
96税込106特価
1個
当日出荷から10日以内出荷
14 種類の豊富なバリエーション。
抵抗(Ω)10~2M仕様操作部押し強さ:10N(1.02kgf)minimum材質ハウジング・ロータ:PBT、ワイパ:多元合金、ゴム板・Oリング:シリコンゴム、抵抗体:RuO2サーメット、端子:銅・錫めっき、接着剤:エポキシ、ベースエレメント:セラミック、電極体:Ag-Pdサーメット形状上面調整型式密閉型質量(g)0.51タイプ汎用使用温度範囲(℃)-55~120定格電力(W)0.5(70度)、0(120度)入力電圧(V)最大DC200または定格電力のいずれか小さいほう対応RoHS包装形態ポリ袋絶縁抵抗(MΩ)(DC500V)最大1000寿命回転寿命:200回、負荷寿命:70度・0.5W・1000h電流(mA)最大ワイパ:100または定格電圧(V)電力のいずれか小さいほう温度係数(抵抗)10~20Ω:±250 10-6/℃(MAX)、50Ω~2MΩ:100 10-6/℃(MAX)引張強度N(kgf)端子強度:10(1.02)minimum耐衝撃性981m/s2 6ms、6 directions for 3 times each絶縁耐圧AC900V 60s耐振動性能振幅(Amplitude)1.52mmまたは、加速度 (Acceleration) 196 m/s2、10~2000 Hz, 3 directions, 12 times eachはんだづけ端子はんだ付け性:245±3度 2~3s、はんだ耐熱性:フロー/260±3度 5~6s 最大2回・手はんだ/380±10度 3~4s耐湿性-10~65(相対湿度80~98%)温度サイクル熱衝撃:-65~125(0.5時間)5サイクル耐水性耐水・密閉性:85度 60s端子無鉛メッキ品(鉛フリー対応)回転強度回転止:50mN・m(510gf・cm)minimum回転トルク(mN・m[gfcm])2~20(20~204)抵抗値許容差(%)±10抵抗変化特性直線性電気的回転角度(°)220(1ターン)機械的回転角度(°)260(1ターン)
炭素系可変抵抗器 RV24シリーズ 東京コスモス電機炭素系可変抵抗器 RV24シリーズ東京コスモス電機(8件のレビュー)
469税込516特価
1個
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JIS準拠品です。
抵抗値(Ω)全/50~2M、残留/3以下大きさ(Φ)24使用温度範囲(℃)-10~+85耐熱性(はんだ)350℃ 3秒絶縁抵抗(MΩ)100以上(1000V DC)寿命回転/15000回、定格負荷/40℃ 1000時間、耐湿負荷/+40℃、90~95%RH 500時間シャフト形状溝形振動10~55Hz 3方向 各2時間 全振幅1.5mm温度特性85℃ 30分間 無負荷耐寒性-10℃、1時間 無負荷強度ストップ/900mN・min、ナット締付/1470mN・m max抵抗値許容差(%)±10耐電圧(V/min)1000電気的回転角度(°)280±10機械的回転角度(°)300±5
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
299税込329
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
329税込362
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC014YUBTL ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC014YUBTLROHM
1,398税込1,538
1袋(200個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 50 V●パッケージタイプ: SOT-323FL●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 200 mW●最小DC電流ゲイン: 68●トランジスタ構成: コモンエミッタ●最大エミッタ-ベース間電圧: 50 V●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●標準抵抗比: 4.7kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ スルーホールON SEMICONDUCTOR
1,598税込1,758
1袋(2個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
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