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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 60000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 V。幅 = 4.83mm。高さ = 9.4mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:0 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)60 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)200 最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 , +10 トランジスタ構成シングル 最小動作温度(℃)-55
1個
199 税込219
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