「4lv」の検索結果

本商品は企業のデータ保存における信頼性とコストパフォーマンスを追求した法人向けNAS「ランディスク」です。24時間常時稼働を前提に開発された高信頼ハードディスクの採用に加え、ユーザーから高い支持を得ているデータ保護技術「RAIDeX(拡張ボリューム)」によって、安心できる業務環境の構築に貢献します。パソコンやスマホ・タブレットを使って社外からリモートアクセスが可能です。また不要なアクセスを防ぐためアクセス可能な端末を指定することができます※1。安心してご利用いただける5年保証+デー復旧サービス付き※2

本商品は企業データ保存における信頼性とコストパフォーマンスを追求した法人向けNAS「ランディスク」です。24時間常時稼働を前提に開発された高信頼ハードディスクの採用に加え、ユーザーから高い支持を得ているデータ保護技術「RAIDeX(拡張ボリューム)」によって、安心できる業務環境の構築に貢献します。パソコンやスマホ・タブレットを使って社外からリモートアクセスが可能です。また不要なアクセスを防ぐためアクセス可能な端末を指定することができます※1。安心してご利用いただける5年保証+デー復旧サービス付き※2

FMVSS No.116 DOT4/DOT3、SAE J 1703、SAE J 1704、ISO 4925(Classes 3，4，6)に適合した低粘度ブレーキフルード。最新の輸入車に指定されているISO 4925 Class 6に対応し、低温下でもESP、ABS等を装備した車両安定制御システムが安全、確実に作動するように開発されたブレーキフルードです。

高性能・ローコストタイプのロータリーエンコーダ。

本商品は企業のデータ保存における信頼性とコストパフォーマンスを追求した法人向けNAS「ランディスク」です。24時間・常時稼動を前提に開発された高信頼ハードディスクの採用に加え、ユーザーから高い支持を得ているデータ保護技術「RAIDeX(拡張ボリューム)」によって、安心できる業務環境の構築に貢献します。。安心してご利用いただける5年保証+デー復旧サービス付き※

論理回路 = LVC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。回路数 = 1。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = オープンドレイン。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4ns。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。動作供給電圧 Min = 1.65 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = インバータ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5ns。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = 74LVC。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。入力タイプ = シュミットトリガ。出力タイプ = プッシュプル。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。74LVCファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LVC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。回路数 = 1。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。動作供給電圧 Min = 1.65 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = XOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.35mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.35mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS