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フェニックス・コンタクトの絶縁スリーブ付棒端子は、柔軟な銅製で、表面は錫メッキされています。この棒端子は、配線時に電線が密集しても高い絶縁効果があります。また、芯線のバラけを防止します。絶縁スリーブは色分けされており、電線サイズの区別に役立ちます。

強靭性・電気特性・耐薬品性等に優れ、S10は標準グレードとして幅広い工業材料の用途に使用されております。例えば、FPC、メンブレンスイッチ、電気絶縁用、粘着テープ、離型用等々に使用できます。 UL746B:RTI Electrical 105(℃) Mechanical 105(℃) UL94VTM-2(#38～#188)

定格電圧の50%まで瞬時電圧ドロップが起こっても接点チャタリングレスを実現。 AC100V系のAC100～120V 50/60Hzを1つのコイルで、また、AC200V系のAC200～240V 50/60Hzを1つのコイルでカバーできるワイドレンジコイルを実現。 高容量で特に誘導負荷に強い威力を発揮。 絶縁材料にすべて、UL94V-0に合格した難燃材料を採用。 タブ端子をはじめ、ねじ端子、プリント基板用端子など豊富なバリエーション。 標準品にてUL、CSA、TÜVを取得、IEC950規格認定済み。 接点間隔3mmの安全設計。

ボックス内取付用ブレーカー

HD/Wi-Fi 6E/1000BASE/約2200g

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 114 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 2mm。高さ = 0.75mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。