「inc-100」の検索結果

軽量化と共にフィット感よくズレにくい形状です。作業用布帽子に幅広く対応します。

業務用としても、スポーツシーンでも幅広くお使い頂けるシンプルで清潔感ある広口のキーパー。 地金のシルバーボディーの中心には印刷で(ホワイトシルバー)でドットグラデーションを施しています。同系色の地模様なので主張しすぎず奥行き感あるデザインで使用シーンや年齢性別も選びません。 硬質ポリウレタンフォームで耐熱性に優れ、保温保冷効果が長持ち。 軽くレバーを引くだけのカンタン注水。 コップ、内肩は抗菌加工。 指がかかり、開けやすいフタ形状。 樹脂面は清潔感あるライトグレー色を採用。

PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

インナーキャップ用のヘッドバンドのみです。

Micrel Inc イーサネットスイッチ. Micrel は、完全に統合された、コスト効果の高いマネージド 10/100Base-TX イーサネットスイッチソリューションを提供します。

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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 140 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 450 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 260 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V。最大パワー消費 = 750 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 850 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

機械、機器へ取り付けできる角度計です。アクリル削り出し加工により精度が優れています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 750 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 170 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 60 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.8mm。高さ = 1.3mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 790mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 700mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 700mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 700 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 1.8 nC @ 5 V、3.5 nC @ 10 Vmm。高さ = 1mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.7mm。高さ = 1.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 230 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 700 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 4.77mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 550mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 10.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

出力電流 = 1.25A。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。最大出力パワー = 1W。パッケージタイプ = TSOT-25。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 65V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1.25A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1mA。入力電圧 = 7 → 30 V。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。最大出力パワー = 1W。パッケージタイプ = TSOT-23-5。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 30V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1.25A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.25A。入力電圧 = 6 → 60 V。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = DC 電圧， PWM。最大出力パワー = 1W。用途 = 自動車用照明、非常灯、産業用照明、住居照明、SELV照明、標識照明。パッケージタイプ = TSOT-25。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 60V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

大画面12.6inc 有機ELディスプレイ(AMOLED Display)搭載 Windows 11 Home 2 in 1タブレットPC。CPUは省電力ながら高い処理能力を発揮し、モバイルワークに最適なIntel N100搭載。ビジネスユースに十分なメモリ8GBと128GB M.2 PCIe SSDストレージを備え、ビデオ会議に必須のカメラも搭載。有機物の発光を利用するためバックライトが必要ない有機ELディスプレイは、液晶ディスプレイに比べ深みのある黒を実現することが可能で、コントラストが高く高精細な映像や画像を描き出します。また視野角も広く、薄型である特徴を活かし厚さ7.5mmを実現しました。無線LAN 802.11 ax対応に加え、2ポートのUSB Type-CはPD充電と映像・音声出力も可能。付属のキーボード、カバー兼スタンドと一緒に手軽に持ち運べるサイズで、外出先でのビジネスユースに最適なほか、動画視聴といったエンタメも楽しめます。パフォーマンスと携帯性を両立し、オフィスでも外出先でも、自由自在で仕事のスタイルを進化させるWindows 2 in 1タブレット。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 70mA。ピーク逆繰返し電圧 = 70V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

アンプタイプ = 低電圧。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 1。ピン数 = 5。標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5.5 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz。標準スルーレート = 1V/μs。動作温度 Max = +85 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 1.35mm。オペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。