「m27 ダイス」の検索結果

ボルトやねじをさらえる(きれいにする)時に使用します。モンキーレンチにて作業ができます。ねじ山を修正する際の丸ダイスにかわる商品です。

ボルトやねじをさらえる(きれいにする)時に使用します。モンキーレンチにて作業ができます。ねじ山を修正する際の丸ダイスにかわる商品です。

ダイスの振れ精度を向上させたソリッドダイスです。 高速度工具鋼(HSS)を採用し、安定した加工を実現しました。

高品質なおねじ加工が簡単に! ダイスの振れ精度を向上させたソリッドダイス誕生。 高速度工具鋼(HSS)を採用し、安定した加工を実現しました。

重切削向け高能率仕様の6コーナ肩削りカッタ。剛性を高めた厚みのあるチップやポジすくい角は、びびり振動に強く、L/D=5Dの突出しの長い加工を実現します。09サイズインサート、ストレートシャンクタイプを追加し、さらに幅広い用途で使用可能です。剛性を高める厚みと低抵抗なポジすくい角、経済的な両面6コーナ仕様。高能率加工を実現するボディ設計、最大切込み 09サイズインサート：9mm、12サイズインサート：12mm。

重切削向け高能率仕様の6コーナ肩削りカッタ。剛性を高めた厚みのあるチップやポジすくい角は、びびり振動に強く、L/D=5Dの突出しの長い加工を実現します。09サイズインサート、ストレートシャンクタイプを追加し、さらに幅広い用途で使用可能です。剛性を高める厚みと低抵抗なポジすくい角、経済的な両面6コーナ仕様。高能率加工を実現するボディ設計、最大切込み 09サイズインサート：9mm、12サイズインサート：12mm。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。