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エコロジープロダクト
「mosfet 100v」の検索結果
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 207 A， 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ
東芝￥839税込￥9231個当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 110 A， 3 ピン パッケージTO-220FP
STMicro￥2,598税込￥2,8581袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
パワーMOS FETリレー G3RZ
omron(オムロン)(1件のレビュー)￥1,998税込￥2,1981個当日出荷形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。 AC/DC両用、1A負荷開閉可能。 AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。質量(g)約20負荷電圧(V)AC3～264、DC3～125出力の適合負荷1.0A AC5～240V、DC5～100V絶縁方式フォト・ボル・カプラ絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)使用周囲温度(℃)-30～+85(ただし、氷結および結露しないこと)端子構造プラグイン端子使用周囲湿度45～85%RH定格負荷電圧(V)DC5～100 AC5～240保存温度範囲(℃)-30～+100(ただし、氷結および結露しないこと)漏れ電流(mA)開路時/1×10-2以下(DC125Vにて)、0.1以下(AC200Vにて)復帰電圧DC1V以上耐衝撃(m/s2)1000耐振動10～55～10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)出力オン抵抗(Ω)2.4以下負荷電流(A)100μA～1Aサージオン電流耐量(A)10(10ms)RoHS指令(10物質対応)対応耐電圧(V/min)(入出力間)AC2500 50/60Hz商品タイプリレー同一形状ゼロクロス機能無
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 85 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥1,098税込￥1,2081個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 65 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝￥2,998税込￥3,2981袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-Channel
VISHAY￥15,980税込￥17,5781セット(50個)7日以内出荷仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 100 A， 3 ピン パッケージSOT-416 (SC-75)
東芝￥1,998税込￥2,1981袋(100個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルカテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 100 A， 3 ピン パッケージTO-3PL DTMOSIV シリーズ
東芝￥4,898税込￥5,3881個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247
STマイクロエレクトロニクス￥1,198税込￥1,3181個3日以内出荷その他【技術】MOSFET(金属酸化物)、【Id、Vgs印加時のRds On(最大)】299ミリオーム @ 9A、10V、【Id印加時のVgs(th)】最大5V @ 100μA、【Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)】43nC @ 10V、【Vgs(最大)】±30V、【Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)】1645pF @ 100Vタイプ【FET】Nチャンネル電流(A)(25℃での連続ドレイン(Id))：18.5(Tc)最大消費電力(W)250(Tc)RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～150(TJ)ドレイン・ソース電圧(V)900起動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
RBIO-4S シリアル接続MOSFETリレーボード
ケイシーズ￥11,980税込￥13,1781個4日以内出荷パソコンや各種小型端末のRS-232Cポートを通して10個の半導体リレーをON/OFFできる汎用入出力ボードです。コントローラーにはワンチップCPU(PIC16F628A)を搭載しており、ホストパソコンからは簡単なコマンド(ASCII文字列)を送るだけで簡単にリレーをコントロールできます。出力用半導体リレーにはMOSFETリレーを採用しましたので、多様な負荷に対応できます。また、半導体リレーのため、動作音が無く、開閉回数による寿命がありません。本ボードでは、汎用のRS-232Cポートを持ちASII文字列を送ることができるPCやボードであれば、機種に関係なく接続することができます。種類工作キット電源(V)DC9～12出力10組、無極性半導体リレー接点、スイッチ線引き出し3線式入力4組、対GND接続接点入力、予備5V電源端子付きインターフェースRS-232Cレベル、9600bps、8bit、パリティ無し、9pinオスDCE結線電流(mA)75(9V時最大)、100(12V時最大)モードリモート用電源 ON/OFFコマンド個別I/Oコントロールコマンド端子電源/2.1Φセンター+(プラス)、ACアダプタ入力接点容量AC/DC60V0.4A (初期実装分AQV212またはG3VM-61B1での値)
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ
東芝￥339税込￥3731袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)
東芝￥619税込￥6811袋(25個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
パワーMOS FETリレー G3DZ
omron(オムロン)(2件のレビュー)￥999～税込￥1,099～1個当日出荷から63日以内出荷形G6Dと同一形状でAC/DC両用、DC専用をシリーズ化。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 500 V， 7 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
東芝￥1,498税込￥1,6481袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.22Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
