RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
■生産停止/設備待機時の低圧化によりエア消費を削減■設備停止状態によりバルブを遮断し、エア消費を削減■生産設備状態を可視化■SMC無線システムに対応
RoHS指令(10物質対応)対応
生産停止/設備待機時の低圧化によりエア消費を削減。設備停止状態によりバルブを遮断し、エア消費を削減。生産設備状態を可視化。SMC無線システムに対応
最高使用圧力(MPa)0.8
使用流体空気
設定圧力範囲(MPa)0.2~0.7
プロトコルEtherCAT(無線アダプタ接続時:無線ベース)
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関連資料カタログ(22.08MB)
供給圧力範囲(MPa)0.3~0.8
取扱説明書取扱説明書(8.93MB)
エア消費量:最大62%削減。設備待機(生産停止時)の状態を監視し、自動で低圧化。 不要なエア消費を削減。OPC UAに対応。ダイレクト接続による容易なデータ通信が可能。無線システムに対応。通信ケーブル不要。独自の暗号化による高いセキュリティ。IO-Linkに対応
用途2次電池対応シリーズ
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関連資料カタログ(4.29MB)
取扱説明書取扱説明書(1.51MB)
通信距離(m)最大100
タッチパネル方式アナログ抵抗膜式
・リニアガイドの剛性向上でテーブル変位量48%低減。 ピッチ方向変位量:48%減(0.31mm→0.16mm)。 ヨー方向変異量:63%減(0.24mm→0.09mm)。 ロール方向変位量:90%減(0.06mm→0.006mm)。・最大標準ストローク150mm(Φ20の場合)。・質量 最大6%削減(194g→182g)。・取付寸法、全長寸法は既存製品MXHシリーズと同等
RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年
仕様メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = パラレルパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 28構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 18.1 x 7.6 x 2.35mm動作温度 Max = +85 ℃ns
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1袋(2個)
¥2,198
税込¥2,418
5日以内出荷
メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = PLCC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 11.5 x 14.04 x 3.17mm。ワード数 = 8Kns。Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年
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1袋(2個)
¥1,998
税込¥2,198
5日以内出荷
取付DINレールマウント
最高温度(℃)70
出力数1
高さ(mm)130
取付方式DINレール取付け
奥行(mm)125
材質(ケース)アルミニウム製(AlMg3)
保護等級IP20
保存温度(℃)-40~85
使用周囲温度(℃)-25~70
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材質(フード)亜鉛メッキ加工スチールシート、クロムフリー(VI)
仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,298
税込¥2,528
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(11個)
¥5,998
税込¥6,598
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥9,898
税込¥10,888
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥889
税込¥978
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:4Mbit、インターフェースタイプ:パラレル、パッケージタイプ:PLCC、ピン数:32、構成:512 K x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:4.5 V、動作供給電圧 Max:5.5 V、長さ:11.43mm、高さ:2.79mm、幅:13.97mm、寸法:11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数:512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100,000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,398
税込¥2,638
当日出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥2,998
税込¥3,298
7日以内出荷
操作しにくい小さなスイッチを、画面ごと拡大して、簡単に操作できます。拡大後、画面をスクロールして、操作したいエリアを自由に表示できます。また、2点押し操作ができ、誤操作を防止できます。SDメモリカードを標準サポートし、Ethernet、RS-232、RS-422/485、USBホスト/デバイスを標準搭載。ロギング、スクリプト、アラーム、デバイスデータ転送などの高負荷処理中でも快適な画面操作を実現。さらに、映像の録画や、動画の再生、ビデオ入力やRGB入出力にも対応し、GOT2000のすべての機能が使用できます。シーケンサCPUなどのプログラムやパラメータをGOTのSDメモリカード・USBメモリに保存 (バックアップ) でき、シーケンサ故障時にはGOTから一括で書き戻し (リストア) できます。1台のGOTで、最大4チャンネルのFA機器 (シーケンサ、サーボ、インバータ、温度調節器など) をモニタできます。
取付標準
保護構造前面部: IP67F、盤内部: IP2X
耐電圧電源端子一括 ⇔ アース間 AC 1500 V 1分間
電源電圧(V)AC100~240(+10%、-15%)
発光色2色(青色、橙色)
冷却方式自冷
バッテリーGT11-50BAT形リチウムバッテリ、バックアップ対象:SRAMデータ、時計データ、システム状態ログデータ、寿命:約5年 (周囲温度25℃)
表示色65536色
使用温湿度範囲表示部:0~55℃/10~90%RH、結露なきこと
寿命バックライト:約60000時間(周囲温度25℃で表示輝度が50%となる時間)、タッチパネル:100万回以上(操作力0.98N以下)
保管温湿度範囲-20℃~60℃/10~90%RH、結露なきこと
設置場所制御盤内
耐振動適合規格:JIS B 3502、IEC 61131-2 に適合、断続的な振動がある場合:[周波数: 5 ~ 8.4 Hz]片振幅: 3.5 mm、掃引回数: X、Y、Z 各方向10回、[周波数: 8.4 ~ 150 Hz]加速度: 9.8 m/s2、掃引回数: X、Y、Z 各方向10回、連続的な振動がある場合:[周波数: 5 ~ 8.4 Hz]片振幅: 1.75 mm、[周波数: 8.4 ~ 150 Hz]加速度: 4.9 m/s2
色(パネル)黒
適合圧着端子M3ネジ用の圧着端子 RAV1.25-3、V2-S3.3、V2-N3A、FV2-N3A
キーサイズ最小 2×2 ドット(1キーあたり)
絶縁抵抗電源端子一括 ⇔ アース間 DC 500 V 絶縁抵抗計にて10 MΩ 以上
適合電線サイズ0.75~2mm2
RoHS指令(10物質対応)対応
表示デバイスTFTカラー液晶
接地D種接地 (第3種接地)、接地不可の時は盤に接続のこと
同時押し点数最大2点
タッチパネル方式アナログ抵抗膜式
内蔵インターフェース【RS-232インタフェース】チャンネル数:1ch、伝送速度:115200/57600/38400/19200/9600/4800 bps、コネクタ形状:Dサブ9ピン (オス)、【RS-422/485インタフェース】チャンネル数:1ch、伝送速度:115200/57600/38400/19200/9600/4800 bps、コネクタ形状:Dサブ9ピン (メス)、【Ethernetインタフェース】チャンネル数:1ch、伝送速度:100BASE-TX/10BASE-T、コネクタ形状:RJ45 (モジュラージャック) AUTO MDI/MDI-X、【USBインタフェース(ホスト)】チャンネル数:2ch (前面/背面)、最大転送速度:High-Speed 480 Mbps、コネクタ形状:USB-A、【USBインタフェース(デバイス)】チャンネル数:1ch (前面)、最大転送速度:High-Speed 480 Mbps、コネクタ形状:USB Mini-B、【SDメモリカードインタフェース】1ch SDHC対応 (最大32 GB)、【側面インタフェース】通信ユニット装着用 1ch
バックライトLED(交換不可)、白
輝度調整32段階調整
耐衝撃JIS B 3502、IEC 61131-2 に適合 (147 m/s2(15 G)、X、Y、Z 方向各3回)
オーバーボルテージカテゴリII以下
ノイズ耐量ノイズ電圧1500 Vp-p、ノイズ幅1 μs、ノイズ周波数25 ~ 60 Hzのノイズシミュレータによる
ブザー出力単音色(音程、音長の調整可)
ユーザメモリ容量(MB)格納用メモリ(ROM):57、動作用メモリ(RAM):256、書き込み回数10万回
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