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「npn-150」の検索結果
ニッパ
nepros￥6,998税込￥7,6981個当日出荷大きな支点でガタ付きが減少しています。 高周波の2次焼入れにより刃部を強化しています。 強く握った時の痛みを軽減するためソフトグリップを採用しています。トラスコ品番423-4464質量(g)180寸法L(mm)150呼び寸法150寸法T1(mm)11寸法T2(mm)18寸法B2(mm)55.5寸法B1(mm)19
ワイドニッパ
nepros￥8,998税込￥9,8981個当日出荷トラスコ品番423-4472質量(g)200寸法L(mm)160呼び寸法150寸法T1(mm)10寸法T2(mm)17寸法B2(mm)54寸法B1(mm)25切断能力(Φmm) 軟線2.3切断能力(Φmm) 硬線1.8
軒天換気グリル 標準(網なし)
神栄ホームクリエイト(旧:新協和)(1件のレビュー)￥819税込￥9011個3日以内出荷から6日以内出荷仕様軒天換気用その他標準(網なし)材質ABS樹脂色シルバーホワイト軒天換気グリル(網付)
神栄ホームクリエイト(旧:新協和)￥1,798税込￥1,9781個3日以内出荷から5日以内出荷軒天換気グリル。ステンレス網は16メッシュです。仕様軒天換気用その他網付材質ABS樹脂色シルバーホワイト
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 150 V， 8 A， 3-Pin TO-220
ON SEMICONDUCTOR￥379税込￥4171個翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 150 mA， FMMT459TA
DiodesZetex￥149,800税込￥164,7801セット(3000個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 150 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 806 mW。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 150 mA， KSC945YTA
onsemi￥2,998税込￥3,2981箱(200個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大パワー消費(mW)250最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)150トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン120最大動作周波数(MHz)1
ローム トランジスタ， NPN， 表面実装， 150 mA， IMX1T110
ROHM￥2,198税込￥2,4181袋(50個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 150 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-457●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 120●ピン数： 6●1チップ当たりのエレメント数： 2RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥3,998税込￥4,3981袋(200個)欠品中仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM
東芝￥259税込￥2851袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝￥259税込￥2851袋(10個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝(2件のレビュー)￥259税込￥2851袋(10個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 150 mA， BFP650FH6327XTSA1
INFINEON￥1,298税込￥1,4281袋(25個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応ON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥19,980税込￥21,9781リール(2000個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 150mA， 6-Pin US
東芝￥299税込￥3291袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1 A， PN2222ATA
onsemi￥339税込￥3731袋(10個)当日出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3P
東芝￥3,398税込￥3,7381袋(5個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ， 45 V， 3 A， 3-Pin SOT-32
STMicro￥1,398税込￥1,5381袋(20個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP ダーリントンペア， 100 V， 7 A， hFE≧1000， 3-Pin TO-220SIS
東芝￥1,198税込￥1,3181袋(10個)欠品中仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 1000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタカットオフ電流 = 2μA動作温度 Max = +150 ℃NPNダーリントントランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 60 V， 1 A， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥469税込￥5161袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 81トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 160 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin UMT
nexperia￥759税込￥8351袋(50個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 500 mA， DTD123YKT146
ROHM￥559税込￥6151袋(5個)翌々日出荷仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 500 mA●パッケージタイプ： SMT●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 56●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max： +150 ℃kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia￥799税込￥8791袋(25個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 5 A， 2SC5706-TL-H
onsemi￥1,598税込￥1,7581袋(5個)翌々日出荷仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 50 V●パッケージタイプ ： TP-FA●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15 W●最小DC電流ゲイン ： 200●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 6 V●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 4●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 6 A， BD243CG
onsemi￥1,398税込￥1,5381袋(5個)翌々日出荷仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 65 W●最小DC電流ゲイン ： 20●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3PL
東芝￥11,980税込￥13,1781袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
セーフティライトカーテン F3SG-SRシリーズ
omron(オムロン)￥92,980～税込￥102,278～1個ほか3日以内出荷から36日以内出荷保護構造IP65およびIP67(IEC60529)、IP67G(JIS C0920)出力(補助)PNPまたはNPNトランジスタ1出力(電源線の接続先によってPNPまたはNPNを設定)負荷電流100mA以下、残留電圧2V以下*5*5. インテリジェントタップ接続時は残留電圧3V以下。電源電圧(V)SELV/PELV24DC±20%(リップルp-p10%以下)制御出力PNPまたはNPNトランジスタ2出力(電源線の接続先によってPNPまたはNPNを設定)負荷電流300mA以下、残留電圧2V以下(ケーブル延長による電圧降下を除く)、容量負荷1μF以下、誘導負荷2.2H以下 *1*2*3漏れ電流1mA以下(PNP)、2mA以下(NPN) *4*1. 形F3SG-4SRAについては、2連結時：負荷電流150mA以下、3連結時：負荷電流80mA以下。*2. インテリジェントタップ接続時は残留電圧3V以下*3. 誘導性負荷の値は、制御出力が頻その他の機能直列連結機能連結数：3連結まで総光軸数：255光軸まで安全関連機能インターロック外部リレーモニタ(EDM)プリリセットPSDIフィックスブランキング/フローティングブランキングリデュースドレゾリューションミューティング/オーバーライド相互干渉防止PNP/NPN選択応答時間変更絶縁抵抗(MΩ)20以上(DC500Vメガにて)保護回路出力負荷短絡保護耐衝撃(耐久)Class3M4(IEC TR60721-4-3)/誤動作：加速度15G、パルス時間6ms、X、Y、Z各方向100回(合計600回)[IEC61496-1]耐衝撃(誤動作)加速度15G、パルス時間6ms、X、Y、Z各方向100回(合計600回)[IEC61496-1]動作モード制御出力：入光時ON(受光器が投光信号を受信すると制御出力がON)、補助出力：制御出力情報(出力反転機能：有効)(出荷時設定)(SD Manager 3で選択可能)干渉防止機能(相互)スキャンコードによる光同期：2セット間の相互干渉を防止可能。有線同期：3セット間の相互干渉を防止可能。耐振動Class3M4(IEC TR60721-4-3)テスト機能セルフテスト(電源投入時および通電時)、外部テスト(テスト入力による投光停止機能)出力形式(補助)PNPまたはNPNトランジスタ1出力(電源線の接続先によってPNPまたはNPNを設定)負荷電流100mA以下、残留電圧2V以下*5*5. インテリジェントタップ接続時は残留電圧3V以下。耐電圧(V/min)AC1000(50/60Hz)耐衝撃Class3M4(IEC TR60721-4-3)発光波長(nm)870開口角(°)投光器、受光器とも検出距離3m以上の時±2.5以下光源(発光波長)赤外LED耐電圧(V)AC1000、50/60Hz立ち上がり時間(s)(電源投入後)3以下耐振動(誤動作)(Hz)5～150、複振幅7mm、加速度1G、X、Y、Z各方向10掃引(共振周波数での遅延なし)[IEC61496-1]
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 600 mA， MMBT5551-7-F
DiodesZetex￥16,980税込￥18,6781セット(3000個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 800 mA， BC817-40-7-F
DiodesZetex￥18,980税込￥20,8781セット(3000個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1.5 A， SS8050DTA
onsemi￥399税込￥4391袋(10個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 120， 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
