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「npn-150」の検索結果
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥2,298税込￥2,528
1袋(200個)
欠品中
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥229税込￥252
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(2件のレビュー)￥229税込￥252
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3P東芝￥2,498税込￥2,748
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1 A， PN2222ATAonsemi￥299税込￥329
1袋(10個)
当日出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM東芝￥229税込￥252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 500 mA， DTD123YKT146ROHM￥159税込￥175
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 500 mA●パッケージタイプ： SMT●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 56●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max： +150 ℃kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
セーフティライトカーテン F3SG-SRシリーズomron(オムロン)￥92,980～税込￥102,278～
1個ほか
翌々日出荷から9日以内出荷
保護構造IP65およびIP67(IEC60529)、IP67G(JIS C0920)出力(補助)PNPまたはNPNトランジスタ1出力(電源線の接続先によってPNPまたはNPNを設定)負荷電流100mA以下、残留電圧2V以下*5*5. インテリジェントタップ接続時は残留電圧3V以下。電源電圧(V)SELV/PELV24DC±20%(リップルp-p10%以下)制御出力PNPまたはNPNトランジスタ2出力(電源線の接続先によってPNPまたはNPNを設定)負荷電流300mA以下、残留電圧2V以下(ケーブル延長による電圧降下を除く)、容量負荷1μF以下、誘導負荷2.2H以下 *1*2*3漏れ電流1mA以下(PNP)、2mA以下(NPN) *4*1. 形F3SG-4SRAについては、2連結時：負荷電流150mA以下、3連結時：負荷電流80mA以下。*2. インテリジェントタップ接続時は残留電圧3V以下*3. 誘導性負荷の値は、制御出力が頻その他の機能直列連結機能連結数：3連結まで総光軸数：255光軸まで安全関連機能インターロック外部リレーモニタ(EDM)プリリセットPSDIフィックスブランキング/フローティングブランキングリデュースドレゾリューションミューティング/オーバーライド相互干渉防止PNP/NPN選択応答時間変更絶縁抵抗(MΩ)20以上(DC500Vメガにて)保護回路出力負荷短絡保護耐衝撃(耐久)Class3M4(IEC TR60721-4-3)/誤動作：加速度15G、パルス時間6ms、X、Y、Z各方向100回(合計600回)[IEC61496-1]耐衝撃(誤動作)加速度15G、パルス時間6ms、X、Y、Z各方向100回(合計600回)[IEC61496-1]動作モード制御出力：入光時ON(受光器が投光信号を受信すると制御出力がON)、補助出力：制御出力情報(出力反転機能：有効)(出荷時設定)(SD Manager 3で選択可能)干渉防止機能(相互)スキャンコードによる光同期：2セット間の相互干渉を防止可能。有線同期：3セット間の相互干渉を防止可能。耐振動Class3M4(IEC TR60721-4-3)テスト機能セルフテスト(電源投入時および通電時)、外部テスト(テスト入力による投光停止機能)出力形式(補助)PNPまたはNPNトランジスタ1出力(電源線の接続先によってPNPまたはNPNを設定)負荷電流100mA以下、残留電圧2V以下*5*5. インテリジェントタップ接続時は残留電圧3V以下。耐電圧(V/min)AC1000(50/60Hz)耐衝撃Class3M4(IEC TR60721-4-3)発光波長(nm)870開口角(°)投光器、受光器とも検出距離3m以上の時±2.5以下光源(発光波長)赤外LED耐電圧(V)AC1000、50/60Hz立ち上がり時間(s)(電源投入後)3以下耐振動(誤動作)(Hz)5～150、複振幅7mm、加速度1G、X、Y、Z各方向10掃引(共振周波数での遅延なし)[IEC61496-1]
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1.5 A， SS8050DTAonsemi￥369税込￥406
1袋(10個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 120， 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， スルーホール， 15 A， BD911STMicro￥259税込￥285
1個
3日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 90 W●最小DC電流ゲイン ： 15●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 3 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 60 V， 8 A， 3-Pin TO-220onsemi￥659税込￥725
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 1000●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.5mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 150mA， 6-Pin US東芝￥299税込￥329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 6 A， BD243CGonsemi￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 65 W●最小DC電流ゲイン ： 20●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 5 A， 2SC5706-TL-Honsemi￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 50 V●パッケージタイプ ： TP-FA●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15 W●最小DC電流ゲイン ： 200●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 6 V●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 4●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP ダーリントンペア， 100 V， 7 A， hFE≧1000， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
欠品中
仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 1000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタカットオフ電流 = 2μA動作温度 Max = +150 ℃NPNダーリントントランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3PL東芝￥9,198税込￥10,118
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ， 45 V， 3 A， 3-Pin SOT-32STMicro￥1,198税込￥1,318
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 150 V， 8 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR￥299税込￥329
1個
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥1,298税込￥1,428
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin UMTnexperia￥579税込￥637
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 60 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥319税込￥351
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 81トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 160 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 300 mA， KSP44TFonsemi￥2,798税込￥3,078
1袋(50個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 2 A， KSC2328AYTAonsemi￥2,798税込￥3,078
1袋(50個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， 表面実装， 500 mA， MJD340T4STMicro￥99,980税込￥109,978
1セット(2500個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 1.5 A， FMMT620TADiodesZetex￥96,980税込￥106,678
1セット(3000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 806 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 160 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， スルーホール， 6 A， TIP41CSTMicro￥3,500税込￥3,850
1セット(50個)
5日以内出荷から7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 65 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 300 mA， KSP44TAonsemi￥449税込￥494
1袋(5個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， 表面実装， 3 A， MJD31CT4STMicro￥149,800税込￥164,780
1セット(2500個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 5 A， KSD5041RTAonsemi￥47,980税込￥52,778
1セット(2000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 340トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 600 mA， 2N5550TFRonsemi￥17,980税込￥19,778
1セット(2000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 140 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 5 A， ZXTN2010ZTADiodesZetex￥81,980税込￥90,178
1セット(1000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2.1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 130 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN/PNP， 表面実装， 200 mA， MMDT5451-7-FDiodesZetex￥38,980税込￥42,878
1セット(3000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 80， 60トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 1 A， BCX5616TADiodesZetex￥15,980税込￥17,578
1セット(1000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 80 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC546BTFonsemi￥1,898税込￥2,088
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
