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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 30 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 62000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥509
税込￥560
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 136 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-23F実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(30個)
￥1,198
税込￥1,318
翌々日出荷
ポジション(外周刃・中心刃)ごとの専用チップにより、切削抵抗のアンバランスを解消し、一定の径精度を実現します。
用途交差穴、チェーンドリリング、傾斜のある穴入口/出口などの難しい穴あけ加工用。鉄系、ステンレス系、鋳鉄系、非鉄金属、難削材用。一般部品加工、金型製造、エネルギーおよび自動車産業に。
RoHS指令(10物質対応)対応
さまざまなISO水分等級に対応。モジュラ接続可能。ノンフロン。電源不要。無振動無排熱。省エネに貢献。 圧力降下：最大61%低減。 出口空気流量：最大25%向上。 パージ率：約14%
最高使用圧力(MPa)1
使用流体空気
保証耐圧力(MPa)1.5
最低使用圧力(MPa)0.3
RoHS指令(10物質対応)対応
関連資料カタログ(3.68MB)
取扱説明書取扱説明書(0.76MB)
タイプ(安全)2
電源電圧(V)DC24
コンポーネントレシーバ、センダー
安全カバーにより車輪が足へ乗り上げてしまうことを防ぎます。堅固な1.2mmの鋼板を使用。
材質(車輪)ウレタン
仕様プレート式
材質(カバー)鋼板
材質(金具)鋼板
RoHS指令(10物質対応)対応
シャフト径d(Φmm)20/M20×1.5
材質(ホイール)鋼板
取付穴径(mm)11.5
安全カバーにより車輪が足へ乗り上げてしまうことを防ぎます。堅固な1.2mmの鋼板を使用。
材質(車輪)ゴム
仕様プレート式
形状固定式(安全カバー付き)
材質(カバー)鋼板
材質(金具)鋼板
RoHS指令(10物質対応)対応
シャフト径d(Φmm)20/M20×1.5
材質(ホイール)鋼板
取付穴径(mm)11.5
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