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「si基板」の検索結果
研究用高純度シリコンウェハー
アズワン(1件のレビュー)￥103,000～税込￥113,300～1箱(25個)ほか5日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。抵抗値0.1～100Ω・cm製造方法CZ法位置【OF】110方位【面】100
研究用高純度シリコンウェハー 1枚入
アズワン￥9,050～税込￥9,955～1枚当日出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供製造方法CZ法位置【OF】110方位【面】100
研究用高純度シリコンウェハー
アズワン￥100,000税込￥110,0001箱(25枚)当日出荷から翌々日出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。長さ(mm)【OF】17.5±2.5寸法(inch)2抵抗値0.1～100Ω・cm製造方法CZ法位置【OF】110方位【面】100ウェハー厚(μm)280±25
シリコンウエハー P型 (100)
グローバル・トップ・ケミカル(1件のレビュー)￥6,998～税込￥7,698～1枚当日出荷装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ材質シリコン型P型(導電型)グレードダミー(モニター)抵抗値≧1Ωcm製造方法CZ法方位100(面)
10mm×10mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥12,190～税込￥13,409～1箱(20枚)ほか当日出荷から5日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。寸法(mm)10×10抵抗≦0(低抵抗)方位【面】100ウェハー厚(μm)300～1000
単結晶基板 Si基板 N型 片面鏡面 Si-Nシリーズ
クリスタルベース￥11,980税込￥13,1781箱(10枚)当日出荷から5日以内出荷寸法(mm)10×10×0.525タイプN型研磨内容片面鏡面50mm×50mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥29,900～税込￥32,890～1箱(20枚)ほか当日出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。単結晶基板 Si基板 P型 片面鏡面 Si-Pシリーズ
クリスタルベース￥11,980税込￥13,1781箱(10枚)当日出荷から4日以内出荷寸法(mm)10×10×0.525タイプP型研磨内容片面鏡面10mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥13,360～税込￥14,696～1箱(20枚)ほか4日以内出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。![20×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](//jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg)
20×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥19,191～税込￥21,110～1箱(20枚)ほか当日出荷から4日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。50×50mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥36,100～税込￥39,710～1箱(20枚)ほか16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：50×50●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。20mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥14,529～税込￥15,982～1箱(20枚)ほか当日出荷から5日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。寸法(mm)20×20抵抗≦0(低抵抗)方位【面】100ウェハー厚(μm)300～100015mm×15mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥13,360～税込￥14,696～1箱(20枚)ほか4日以内出荷から5日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。5mm×5mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥11,000～税込￥12,100～1箱(20枚)ほか当日出荷から5日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。シリコンウエハー 2インチ P型 (100)
グローバル・トップ・ケミカル￥7,798税込￥8,5781枚当日出荷装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ材質シリコン型P型(導電型)サイズ2インチ直径(Φmm)50±0.5グレードダミー(モニター)厚さ(μm)280±25仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ抵抗値≧1Ωcm製造方法CZ法方位100(面)30mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥20,770～税込￥22,847～1箱(20枚)ほか当日出荷から14日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。40mm×40mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥22,720～税込￥24,992～1箱(20枚)ほか4日以内出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。10×10mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥17,900～税込￥19,690～1箱(20枚)ほか当日出荷から16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。15×15mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥19,600～税込￥21,560～1箱(20枚)ほか当日出荷から4日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：15×15●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。5×5mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥15,300～税込￥16,830～1箱(20枚)ほか当日出荷から4日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。20×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥21,207～税込￥23,328～1箱(20枚)ほか当日出荷から16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：20×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥30,400～税込￥33,440～1箱(20枚)ほか4日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：30×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。25mm×35mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥16,480～税込￥18,128～1箱(20枚)ほか14日以内出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。8mm×8mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥11,020～税込￥12,122～1箱(20枚)ほか14日以内出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。20mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥16,480～税込￥18,128～1箱(20枚)ほか14日以内出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。10×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥19,600～税込￥21,560～1箱(20枚)ほか16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：10×20●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。25×35mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥24,100～税込￥26,510～1箱(20枚)ほか16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：25×35●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。40×40mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥33,200～税込￥36,520～1箱(20枚)ほか16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：40×40●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。8×8mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥16,200～税込￥17,820～1箱(20枚)ほか16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
![20×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg)
