「sic mosfet」の検索結果

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vシリーズ = MegaFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 40 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 Vトランジスタ素材 Simm高さ 9.3mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン ソース間降伏電圧 最大 1200 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

DescriptionWho doesn't occasionally need power regulation? We certainly do， so we've designed the SparkFun BabyBuck Regulator Breakout to help us with just such a task. Featuring the AP63203 from Diodes Inc， this breakout board takes advantage of a 2A synchronous buck converter that has a wide input voltage range of 3.8V to 32V and fully integrated 125mΩ high-side power MOSFET/68mΩ lowside power MOSFET to provide high-efficiency step-down DC/DC conversion. All of this snuggled up in a low-profile， TSOT26 package that's integrated into a 0.4in by 0.5in board.Unlike it's sibling， the BabyBuck sacrifices power option flexibility for space. Don't worry， though， because you can still use the plated through holes for input and output power. With some simple right-angle headers， you'll be up and running in no time.Frequency Spread Spectrum(FSS)reduces EMI and a proprietary gate driver scheme resists switching node ringing without sacrificing MOSFET turn-on and turn-off times， which further erases high-frequency radiated EMI noise.Get Started with the SparkFun Buck Regulator Hookup GuideFeaturesLow-Profile FootprintVIN 3.8V to 32VVOUT 3.3VUp to 2A Continuous Output Current0.8V ± 1% Reference Voltage22μA Ultralow Quiescent CurrentSwitching Frequency - 1.1MHzSupports Pulse Frequency Modulation(PFM)Up to 80% Efficiency at 1mA Light LoadUp to 88% Efficiency at 5mA Light LoadFixed Output Voltage - 3.3VProprietary Gate Driver Design for Best EMI ReductionFrequency Spread Spectrum(FSS)to Reduce EMIPrecision Enable Threshold to Adjust UVLOProtection CircuitryOvervoltage ProtectionCycle-by-Cycle Peak Current LimitThermal Shutdown

DescriptionAdd another eight pins to your microcontroller using a MCP23008 port expander. The MCP23008 uses two I2C pins which can be shared with other I2C devices， and in exchange gives you eight general purpose pins. You can set each of eight pins to be input， output， or input with a pullup. There's even the ability to get an interrupt via an external pin when any of the inputs change so you don't have to keep polling the chip.Use this chip from 2.7-5.5V(good for any 3.3V or 5V setup)， and you can sink/source up to 20mA from any of the I/O pins so this will work for LEDs and such. Team it up with a high-power MOSFET if you need more juice. DIP package means it will plug into any breadboard or perfboard.You can set the I2C address by tying the ADDR0-2 pins to power or ground， for up to eight unique addresses. That means eight chips can share a single I2C bus - that's 64 I/O pins!Features8-bit remote bidirectional I/O portHigh-speed I2C interface(MCP23008)Hardware address pinsConfigurable interrupt output pinConfigurable interrupt sourcePolarity Inversion register for input port data polarity config.External reset inputLow standby current：1 μA(max.)・ Operating voltage：1.8V to 5.5V @ -40℃ to +85℃ I2C @ 100 kHz SPI @ 5 MHz2.7V to 5.5V @ -40℃ to +85℃ I2C @ 400 kHz SPI @ 10 MHz4.5V to 5.5V @ -40℃ to +125℃ I2C @ 1.7 kHz SPI @ 10 MHz

絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler 絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。

Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作

【高分解能16bit・最大200MHz出力】最大200MHzの出力周波数、1.2GSa/sサンプリング、16bit垂直分解能により、微小な信号変化まで高精度に再現。研究開発・評価試験・品質検証など、精度が求められるBtoB用途に最適です。 【大容量40Mpts任意波形メモリ】196種類の内蔵任意波形とチャネルあたり最大40Mptsのメモリ深度を搭載。複雑な波形や長時間信号も忠実に生成でき、カスタムテストや繰り返し試験に有効です。 【デュアルパルス・PRBS・多彩な変調対応】IGBTやSiC MOSFET評価に有効なダブルパルス出力に対応。最大120MbpsのPRBS信号やAM/FM/PM/FSK/PSK/PWMなど各種変調方式をサポートし、パワー半導体・通信評価に幅広く対応します。 【高忠実度・低ジッタ信号出力】EasyPulseおよびTrueArb技術により、最小8nsパルス、超低ジッタ(最小150ps)、THD 0.075%以下を実現。高速スイッチング回路や高精度アナログ評価に適しています。

Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作