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エコ商品
最高200℃まで温度測定可能(但し、リード線の最高使用温度は260℃)
セパレータを剥がすだけで貼付け出来る簡単仕様
約14mm×10mm と小さく、剥離用セパレータ付で取り付けが簡単
繰り返し貼り直すことも可能
広い接触面積を持った温接点で 安定した温度測定
測温部がシートの為、風の影響を受けづらい
素線はK 型熱電対・T 型熱電対を選択可能
仕様(末端処理)剥き出し
材質(シート)ポリイミドフィルム/(粘着層)シリコーン系
長さ(mm)2000
色(導体被覆色)(+) 赤 (-) 茶
シートサイズ(mm)14×10
温度測定範囲(℃)～200
線色透明
素線径(mm)0.2
熱電対T 型熱電対
シート厚さ(mm)0.35(温接点部)
被覆フッ素樹脂PFA 被覆
クラスクラス2
RoHS指令(10物質対応)対応
リード線径(Φmm)0.9
1セット(5本)
￥59,980
税込￥65,978
23日以内出荷
種別トランス付
形状プッシュロックきのこ形(金属リング)
種類照光式
保護構造IP65防油形
ボタン形状丸
端子形状ねじ端子
定格絶縁電圧(V)AC/DC600
動作方式プッシュロック/ターンリセット
温度上昇40K以下
光源LED球(ハイブライトエコノミー)
絶縁抵抗(MΩ)100以上(500V)
相対湿度45～85%
使用周囲温度(℃)-20～55
取付穴径(Φmm)30.5(+0.5～0)
接触抵抗(mΩ)30以下
耐寒耐熱温度(℃)-40～70
定格二次電圧(V)(照光部)5.5
標高(m)2000以下
耐衝撃(m/s2)(誤動作)100/(耐久性)500
耐振動(m/s2)(耐久)15
定格通電電流(A)10(接点部)
開閉頻度(回/時)1800
強度(操作部)375N 1分間、(端子部)0.8N・m 15秒間
RoHS指令(10物質対応)対応
コンタクトユニットHC形(密着取付ができます。)
材質(リング)金属
変圧器二次短絡断線又は発火せず
耐温性40℃ 93% 96時間
変圧器二次電圧点灯時/定格二次電圧の80%以上(白熱球)
耐電圧(V/min)充電部とアースの間/(接点部)AC2200、(照光部)AC2500
照光色赤
種類照光式
動作方式プッシュロック/ターンリセット
照光色赤
ボタン形状丸
取付穴径(Φmm)25.5(+0.5～0)
端子形状ねじ端子
保護構造IP65防油形
形状プッシュロックきのこ形(金属リング)
材質(リング)金属
耐電圧(V/min)充電部とアースの間/(接点部)AC2200、(照光部)AC2500
定格絶縁電圧(V)AC/DC600
絶縁抵抗(MΩ)100以上(500V)
相対湿度45～85%
耐温性40℃ 93% 96時間
温度上昇40K以下
使用周囲温度(℃)-20～55
接触抵抗(mΩ)30以下
耐寒耐熱温度(℃)-40～70
標高(m)2000以下
耐衝撃(m/s2)(誤動作)100/(耐久性)500
耐振動(m/s2)(耐久)15
開閉頻度(回/時)1800
強度(操作部)375N 1分間、(端子部)0.8N・m 15秒間
コンタクトユニットHC形(密着取付ができます。)
種別トランス付
光源LED球(ハイブライトエコノミー)
変圧器二次短絡断線又は発火せず
定格二次電圧(V)(照光部)5.5
変圧器二次電圧点灯時/定格二次電圧の80%以上(白熱球)
RoHS指令(10物質対応)対応
種類照光式
動作方式プッシュロック/ターンリセット
照光色赤
ボタン形状キノコ
取付穴径(Φmm)22.3(+0.4～0)
端子形状ねじ端子
保護構造IP65防油形
形状プッシュロックきのこ形(金属リング)
材質(リング)金属
耐電圧(V/min)充電部とアースの間/(接点部)AC2200、(照光部)AC2500
定格絶縁電圧(V)AC/DC600
絶縁抵抗(MΩ)100以上(500V)
相対湿度45～85%
耐温性40℃ 93% 96時間
温度上昇40K以下
使用周囲温度(℃)-20～55
接触抵抗(mΩ)30以下
耐寒耐熱温度(℃)-40～70
標高(m)2000以下
耐衝撃(m/s2)(誤動作)100/(耐久性)500
耐振動(m/s2)(耐久)15
定格通電電流(A)10(接点部)
開閉頻度(回/時)1800
強度(操作部)375N 1分間、(端子部)0.8N・m 15秒間
コンタクトユニットHC形(密着取付ができます。)
種別トランス付
光源LED球(ハイブライトエコノミー)
変圧器二次短絡断線又は発火せず
定格二次電圧(V)(照光部)5.5
変圧器二次電圧点灯時/定格二次電圧の80%以上(白熱球)
RoHS指令(10物質対応)対応
デュポン(TM)タイベック(R)に特殊ポリマーコーティングを施し、軽量でありながら多くの高濃度無機化学物質や感染症物質等危険性のある液体に対して高いバリア性があります。
用途人体に有害な化学物質を取り扱う作業現場(工場、処理場、研究所 等)
色黄
サイズF
仕様ブーツ型/滑り止め付(ポリ塩化ビニル製)/靴底寸法 約32cm/縫い目にテープシーム(滑り止め部のみテープシームなし)
トラスコ品番756-1989
種別シューズカバー
材質タイケム(R)2000
区分繰り返し利用
底面の全長(cm)約32
滑り止め効果あり
RoHS指令(10物質対応)対応
縫い目形式縫い目にテープシーム
1双
￥1,498
税込￥1,648
当日出荷
健康を脅かす有害化学薬品等から作業者を守る。
デュポン(TM)タイベック(R)に高性能バリアフィルムラミネートを施し、デュポン(TM)タイケム(R)2000の防護性能に加え、多くの有機化学物質・高濃度無機化学物質に対して高いバリア性があります。
用途揮発性の高い薬品等、人体に有害な化学薬品を取り扱う作業現場(工場、処理場、研究所 等)
仕様袖口・背ウエスト・フード・足首部分ゴム入り/二重の接着可能なジッパーカバー/縫い目はステッチ&オーバーテープ
種別つなぎ
材質タイケム(R)6000
区分使い捨て
製法フラッシュスパン
構造タイベック(R)にポリマーコーティングを施し、さらにバリアフィルムとポリマーコーティングをプラスした4層
機能液体防護、スプレー防護、粉体防護、ミスト防護
RoHS指令(10物質対応)対応
ポケットなし
適合JIS規格JIS T8115：タイプ3(液体防護用密閉服)、タイプ4(スプレー防護用密閉服)、タイプ5(浮遊固体粉じん防護用密閉服)、タイプ6(ミスト防護用密閉服)
縫い目形式縫い目にテープシーム
EN規格EN 14126:2003(バイオハザード)
軽くて薄いうえに、耐突き刺し、耐引き裂きに優れています。ネックストラップには、非腐食性かつ非吸収性のプラスチック製バックルが付属し、好みのフィット感に調整可能です。オイル、グリース、化学製品がある環境で作業者を汚れや有害物質との接触から保護します。繰り返しの洗濯と殺菌が可能です。
用途食肉加工・食品加工・水産業・実験室・研究所。
色ホワイト
種別エプロン
ひも長(cm)85
健康を脅かす有害化学薬品等から作業者を守る。デュポン(TM)タイベック(R)に高性能バリアフィルムラミネートを施し、タイケム(R)2000の防護性能に加え、多くの有機化学物質・高濃度無機化学物質に対して高いバリア性があります。
用途人体に有害な化学物質を取り扱う作業現場(工場、処理場、研究所 等)
色グレー
サイズフリー
仕様ブーツ型/滑り止め付(ポリ塩化ビニル製)/靴底寸法 約32cm/縫い目にテープシーム(滑り止め部のみテープシームなし)
種別シューズカバー
材質タイケム(R)6000
区分繰り返し利用
底面の全長(cm)約32
滑り止め効果あり
RoHS指令(10物質対応)対応
縫い目形式縫い目にテープシーム
1双
￥1,598
税込￥1,758
当日出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：15 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：48.5 nC @ 10 V
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)38.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)650
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)440
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1個
￥499
税込￥549
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：44 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：47 nC @ 10 V
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)307
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)250
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)69
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥979
税込￥1,077
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：61 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：58 nC @ 10 V
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)417000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)41
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1個
￥559
税込￥615
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：23 A
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-3PN
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)235
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)400
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)190
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥3,698
税込￥4,068
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：18 A
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)38.5
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)265
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1個
￥419
税込￥461
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：39 A
幅(mm)4.9
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)37
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)66
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0●標準ゲートチャージ @ Vgs：26 nC @ 10 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)240
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)650
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(2個)
￥699
税込￥769
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：55 nC @ 10 V
高さ(mm)9.4
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)320000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)250
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)60
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：28 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：39 nC @ 10 V
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)250W
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)129
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥659
税込￥725
5日以内出荷
仕様【ネットワークと接続】Wi-Fi 6E:802.11ax 対応、Bluetooth(R) ワイヤレス 5.3 テクノロジ
セット内容Surface Laptop Studio 2、電源アダプター:・Intel(R) Iris(R) Xe グラフィックス モデル: 102W・NVIDIA(R) グラフィックス モデル: 120W、クイック スタート ガイド、安全性および保証に関する書類
センサー環境光センサーによる自動明るさ調整、加速度計、ジャイロスコープ
コントラスト比ディスプレイ：1500：1
ディスプレイ(HDRタッチスクリーン)：14.4 インチ5 PixelSense(TM) Flow ディスプレイ、(タッチ)10 点マルチタッチ、明るさ：SDR最大500nits(標準)、HDR最大輝度650nits、(縦横比)3：2、(色の設定)sRGB、鮮やかさ
解像度ディスプレイ：2400×1600 (200 PPI)
保証期間1 年間のハードウェア保証
使用CPU第 13 世代 Intel(R) Core(TM) i7-13800H プロセッサ、Intel(R) Evo(TM) プラットフォーム採用、第 3 世代 Intel(R) Movidius 3700VC VPU AI アクセラレーター
外観ケース: 陽極酸化アルミニウム、色: プラチナ
OSWindows11
セキュリティエンタープライズ クラスのセキュリティと BitLocker 対応のハードウェア TPM 2.0 チップ、Windows Hello 顔認証サインインによるエンタープライズ クラスのセキュリティ、Windows 11 Secured-core PC
RoHS指令(10物質対応)対応
ポートUSB-C(R) x 2、USB4(R) / Thunderbolt(TM) 4 (DisplayPort および Power Delivery) 対応、USB-A 3.1、MicroSDXC カード リーダー、3.5 mm ヘッドホン ジャック、Surface Connect ポート
カメラ仕様フル HD フロント Surface Studio カメラ、1080p フル HD 広角カメラ、自動フレーミング・アイコンタクト・背景ぼかし付きのWindows Studio エフェクト、Windows Hello 2.0 顔認証カメラ
内蔵グラフィックス8 GB GDDR6 vRAM を備えた NVIDIAFootnote(R) RTX(TM) 2000 Ada Generation Laptop GPU2115 MHz ブースト クロック速度、最大 80W のグラフィックス パワー
リフレッシュレート(Hz)ディスプレイ：最大120
対応ソフトウェアWindows 11 Pro、Microsoft 365 Apps搭載Footnote、Microsoft 365 Business Standard、Microsoft 365 Business Premium、または Microsoft 365 Apps 30 日間試用版
オーディオVoice Clarity 付きの dual far-field スタジオ マイク、Dolby(R) Atmos(R)搭載クアッド Omnisonic(TM) スピーカー
SPARKLE Intel Arc A310 ELF は、AV1 ハードウェア エンコードと。AI により XeSS アップスケーリングが強化されました。シングルファンとデュアルスロット設計を特徴とする ELF シリーズは、パフォーマンス レベルと価格の新たなバランスをもたらします。
RoHS指令(10物質対応)対応
特性SPARKLE Intel(R) Arc(TM) A3、1 0 ELF， 4 GB GDDR6， Single Fan ， SA3 10 E 4G、Graphics:Clock 2000MHz、Xe-Core:6、Intel` XMX Engines:96%、Xe Vector Engines: 96%、Memory Size: 4GB GDDR6、Graphics Memory Interface: 64 bit、Graphics Memory Bandwidth: 1 24 GB/s、Graphics Memory Speed: 15.5Gbps、PCI Express Configurations: PCI Express 4.0 x81x HDMI 2.0 b (Max): 4096 x 2160@60Hz、3x DisplayPort 2 .0 (Max): 7680 x 4320@60Hz、350 ワット以上の電源。Windows 11、Windows 10 Ubuntu 22.04、グラフィックス スロットを 1 つ備えた PCI Express 3.0、4.0、または 5.0 準拠のマザーボード。
1個
￥19,980
税込￥21,978
7日以内出荷
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