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定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。

端子筒部に絶縁被覆があらかじめセットされております。絶縁体形状:TME形は絶縁被覆部内側に電線挿入ガイド(じょうご状)を設けました。心線はよじらなくても被覆をストリップした状態でガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。ノンハロゲン材料のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。

絶縁被覆にノンハロゲン素材(ポリカーボネイト)を使用した丸形端子。電線挿入ガイド(じょうご状)付き(TME形)。定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。(TMEX型)。心線はよじらなくても被覆をス

定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。

RoHS 10物質の適合品。定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。絶縁体使用温度範囲は-40℃～125℃。ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。

RoHS10。ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。絶縁被覆部内側に電線挿入ガイド(じょうご状)を設けました。心線はよじらなくても被覆をストリップした状態で、ガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。絶縁体に端子止めの壁があるために、端子は一定位置に挿入されます。心線いちはつねに安定し確実な圧着が可能です。

端子舌部(接触部)の硬度だけを高めることに成功。 従来端子に比べ曲がりにくい。

端子筒部に絶縁被覆があらかじめセットされております。絶縁体形状:TME形は絶縁被覆部内側に電線挿入ガイド(じょうご状)を設けました。心線はよじらなくても被覆をストリップした状態でガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。ノンハロゲン材料のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。

DCコネクター付きロングケーブル キャップタイヤ型ケーブル AWG16規格 1.25sq相当 規格品プラグ 外径5.5mm×内径2.1mm 12Aまでの負荷で使用可

取付穴(ねじ固定用)がある裸圧着端子です。

RoHS 10物質の適合品。 定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。 絶縁体使用温度範囲は-40℃～125℃。 ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。

絶縁被覆にノンハロゲン素材(ポリカーボネイト)を使用した丸形端子 電線挿入ガイド(じょうご状)付き(TME形) 定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。 燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。(TMEX型) 心線はよじらなくても被覆をストリップした状態で、電線挿入ガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。 絶縁体に端子止めの壁があり、端子は一定位置に挿入されるので、心線位置が常に安定して確実な圧着が可能です。

。絶縁被覆にノンハロゲン素材(ポリカーボネイト)を使用した丸形端子。電線挿入ガイド(じょうご状)付き(TME形)。定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。(TMEX型)。心線はよじらなくても被覆をストリップした状態で、電線挿入ガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。絶縁体に端子止めの壁があり、端子は一定位置に挿入されるので、心線位置が常に安定して確実な圧着が可能です。

圧着時の絶縁物の「延び」を吸収、均一な肉厚を維持します。 絶縁被覆はストレート形(均一の太さ)になっております。

絶縁被覆にノンハロゲン素材(ポリカーボネイト)を使用したY形端子。電線挿入ガイド(じょうご状)付き(TME形)。定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。(TMEX型)。心線はよじらなくても被覆をストリップした状態で、電線挿入ガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。絶縁体に端子止めの壁があり、端子は一定位置に挿入されるので、心線位置が常に安定して確実な圧着が可能です。

TME形は絶縁被覆部内側に電線挿入ガイド(じょうご状)を設けました。 心線はよじらなくても被覆をストリップした状態で、ガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。 さらに、TME形は絶縁体に端子止めの壁があるために、端子は一定位置に挿入されます。従って、心線位置は常に安定し確実な圧着が可能です。

圧着時の絶縁物の「延び」を吸収、均一な肉厚を維持します。 ビニル絶縁部電線挿入付近が膨らみを持った仕上げになっております。

RoHS 10物質の適合品。定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。 絶縁体使用温度範囲は-40℃～125℃。 ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。

RoHS10。ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。絶縁被覆部内側に電線挿入ガイド(じょうご状)を設けました。心線はよじらなくても被覆をストリップした状態で、ガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。絶縁体に端子止めの壁があるために、端子は一定位置に挿入されます。心線いちはつねに安定し確実な圧着が可能です。

定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。

ファミリー名 = SAM3U。パッケージタイプ = TFBGA。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M3。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 128 kB。最大周波数 = 96MHz。RAMサイズ = 36 kB。USBチャンネル = 1。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 4。標準動作供給電圧 = 1.8 V、3.3 V。幅 = 9.05mm。SMART SAM3U ARMR Cortex-M3マイクロコントローラ. ARMR CortexR-M3フラッシュマイクロコントローラをベースとするAtmelR SMART SAM3Uには、オンチップ高速USBデバイス / トランシーバ、SDIO/SDCard/MMC、そしてSPIインターフェイスが装備されています。 このシリーズには、QTouch静電容量タッチサポート、デュアルバンクフラッシュ、メモリ保護ユニットも含まれます。

RoHS10。ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。絶縁被覆部内側に電線挿入ガイド(じょうご状)を設けました。心線はよじらなくても被覆をストリップした状態で、ガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。絶縁体に端子止めの壁があるために、端子は一定位置に挿入されます。心線いちはつねに安定し確実な圧着が可能です。

トランセンドのPCIe SSD 220SはPCI Express®； Gen3 x4インターフェースを採用し、NVMe^TM規格に対応したM.2 SSDです。 デジタルオーディオ/ビデオ機器やゲーム機などのスムーズな動作が要求され、継続的に負荷が高い処理を行うハイエンドアプリケーション向けに最適です。 3D NANDフラッシュを搭載しており、高速パフォーマンスだけでなく、優れた信頼性も備えています。

高性能な32ビットのARM Cortex-M3マイコン「Atmel SAM3X8E」を搭載したフィジカルコンピューティングボード。ボードサイズはArduino MEGAと同じ。デジタルI/Oピンは54本、アナログ入力は12チャンネル。クロック周波数は84MHz。

RoHS10。ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。絶縁被覆部内側に電線挿入ガイド(じょうご状)を設けました。心線はよじらなくても被覆をストリップした状態で、ガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。絶縁体に端子止めの壁があるために、端子は一定位置に挿入されます。心線いちはつねに安定し確実な圧着が可能です。

RoHS10。ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。絶縁被覆部内側に電線挿入ガイド(じょうご状)を設けました。心線はよじらなくても被覆をストリップした状態で、ガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。絶縁体に端子止めの壁があるために、端子は一定位置に挿入されます。心線いちはつねに安定し確実な圧着が可能です。

端子筒部に絶縁被覆があらかじめセットされております。絶縁体形状:TME形は絶縁被覆部内側に電線挿入ガイド(じょうご状)を設けました。心線はよじらなくても被覆をストリップした状態でガイドに沿ってスムーズに筒部まで挿入できます。ノンハロゲン材料のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。

定格電圧600Vで電気絶縁性に優れています。ノンハロゲン材料(ポリカーボネイト)のため、燃焼時に有毒なハロゲン系ガスや腐食性ガスが発生しません。

ファミリー名 = SAM3X。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M3。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 512 kB。最大周波数 = 84MHz。RAMサイズ = 96 kB。USBチャンネル = 1。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 4。CANチャンネル数 = 2。幅 = 14mm。SMART SAM3X ARMR Cortex-M3マイクロコントローラ. ARMR CortexR-M3コアをベースとするAtmelR SMART SAM3Xフラッシュベースのマイクロコントローラ(MCU)は、イーサネット、デュアルCAN及び高速USB (HS USB) MiniHost、オンチップ物理層(PHY)を持つデバイスを追加することで接続性を強化しています。 このシリーズは、QTouch静電容量式タッチ対応、安全性とセキュリティの向上、低電力消費も特長としています。

ATSAM4S Xplained Pro、MCU評価キット. 設計エンジニアがAtmel ；sup>；R ；/sup>； SAM4S Xplained Pro評価キットを使用すれば、ATSAM4SD32Cマイクロコントローラを試作及び評価できます。 ARM Cortex M4評価キットはAtmel Studioによってサポートされており、Atmelソフトウェアフレームワーク(ASF)を含んでいます。 このドライバファイルは、Microsoft ；sup>；R ；/sup>； Windows ；sup>；R ；/sup>； XP及びWindows 7の32ビットと64ビットの両方のバージョンをサポートします。 ARM Cortex M4 MCUシリーズの評価ボードは、オンボード組み込みデバッガによってプログラム及びデバッグされるので、外部ツールは不要です。 SAM4S Xplained Proキットへの電力供給は、USBから実行するか、4ピンの電源ヘッダ経由で外部電源から実行できます。. ATSAM4S Xplained Pro評価キットの特長と利点 ARM Cortex M4プロセッサマイクロコントローラATSAM4SD32C 2つの水晶: SAM4Sデバイス用のクロックソースとして12 MHz、32 kHzを使用できます。 シリアルワイヤデバッグ(SWD): プログラム / デバッグ 仮想COMポートインターフェイス USBインターフェイス SPI又はTWIデータゲートウェイインターフェイス(DGI) GPIO x 4 リセットボタン 黄LED LCDディスプレイヘッダ及び3つの拡張ヘッダ 不揮発ストレージ用の2 Gb NANDフラッシュ SDカードコネクタ

SMART SAM4S ARMR Cortex-M4マイクロコントローラ. 強力なARMR CortexR-M4コアをベースとするAtmelR SMART SAM4Sシリーズは、拡張可能な性能、メモリ密度、電力効率を実現します。 ハードウェアコート保護を内蔵しています。

SMART SAMA5 ARMR Cortex-A5マイクロプロセッサ. ARMR CortexR-A5プロセッサをベースとするAtmelR SMART SAMA5シリーズマイクロプロセッサユニット(MPU)は、コスト重視の産業 / 消費者用途向けに、万能な高性能、低電力、そして高度なセキュリティを実現します。 SAMA5 MPUは、バランスのとれた豊富な周辺機器セットとユーザーインターフェイスをお届けします。