「to-220 絶縁」の検索結果
関連キーワード
エコ商品
パワートランジスターの取付等、絶縁したい部分に御使用下さい。
材質アセタールコポリマー(UL94HB)
色白
使用温度範囲(℃)-40～+85
寸法D(mm)1
RoHS指令(10物質対応)対応
材質PTFE
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,898
税込￥2,088
翌々日出荷
パワートランジスターの下に取付けるだけで高い熱伝導率を得ることができます。
マイカ板と違ってグリースを併用する必要はありません。
従来のシリコンラバーより約7倍の熱伝導率があります。
材質サーコン(R)TR(UL94V-0)
厚さ(mm)0.30+0.10-0)
使用温度範囲(℃)-60～+180
引裂強度(kg)0.3B
伸び(%)100
体積抵抗率(Ωcm)1.2×1015
硬度(JIS A)75
誘電率50Hz：4.4、103Hz：4.4、106Hz：4.4
RoHS指令(10物質対応)対応
燃焼性V-0(UL94)
耐電圧(kV)7
熱抵抗値(℃/W)0.39
引張強度(kg/cm2)1.7
仕様アクセサリタイプ = ガルウィングクリップ併用 = TO-220トランジスタスプリングクリップ. TO220、TO218、TO247、TO3Pなどのパワートランジスタをヒートシンクに1箇所で固定可能なトランジスタスプリングクリップ 強力な押し付け力(最大7.5kg)で、ヒートシンクへの熱伝導特性を最大化。丸穴1つだけで2つのトランジスタに対応可能 あらゆる厚さのヒートシンクパネル又はパッドに適合 亜鉛めっき、透明不動態化仕上げ - 絶縁電圧1000V RS品番131-1216 TO-220適用、RS品番131-1238 TO-3P適用
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥590
税込￥649
翌々日出荷
材質PP製
色黒
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様抵抗 = 2Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 無誘導性シリーズ = AP851ケーススタイル = モールド温度係数 = ±300ppm/℃終端スタイル = アキシャルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 16.52 x 3.44mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリード径 = 0.86mmAP851シリーズTO-220高出力抵抗器(50 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP851シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(50 W)です。 AP851シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 50 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,450
税込￥1,595
7日以内出荷
仕様抵抗 = 200Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 無誘導性シリーズ = AP851ケーススタイル = モールド温度係数 = ±50ppm/℃終端スタイル = アキシャルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 16.52 x 3.44mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリード径 = 0.86mmAP851シリーズTO-220高出力抵抗器(50 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP851シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(50 W)です。 AP851シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 50 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,450
税込￥1,595
翌々日出荷
仕様抵抗 = 20Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 無誘導性シリーズ = AP851ケーススタイル = モールド温度係数 = ±50ppm/℃終端スタイル = アキシャルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 16.52 x 3.44mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリード径 = 0.86mmAP851シリーズTO-220高出力抵抗器(50 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP851シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(50 W)です。 AP851シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 50 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,450
税込￥1,595
翌々日出荷
仕様抵抗 = 50Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 無誘導性シリーズ = AP851ケーススタイル = モールド温度係数 = ±50ppm/℃終端スタイル = アキシャルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 16.52 x 3.44mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリードピッチ = 5.34mmAP851シリーズTO-220高出力抵抗器(50 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP851シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(50 W)です。 AP851シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 50 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,298
税込￥1,428
翌々日出荷
仕様抵抗 = 27Ω定格電力 = 35W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = AP836ケーススタイル = モールド温度係数 = ±100ppm/℃終端スタイル = ラジアルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.41 x 4.82 x 15mm長さ = 10.41mm奥行き = 4.82mm高さ = 15mmリードピッチ = 5.33mmAP836シリーズTO-220高出力抵抗器(35 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP836シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(35 W)です。 AP836シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 35 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,200
税込￥1,320
7日以内出荷
仕様抵抗 = 220Ω定格電力 = 35W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = AP836ケーススタイル = モールド温度係数 = ±100ppm/℃終端スタイル = ラジアルパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.41 x 4.82 x 15mm長さ = 10.41mm奥行き = 4.82mm高さ = 15mmリードピッチ = 5.33mmAP836シリーズTO-220高出力抵抗器(35 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP836シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(35 W)です。 AP836シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 35 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥919
税込￥1,011
7日以内出荷
仕様抵抗 = 5Ω定格電力 = 20W許容差 = ±1%テクノロジー = 無誘導性フィルムシリーズ = AP821温度係数 = ±100 ppm/℃， ±200 ppm/℃終端スタイル = Through Holeパッケージ/ケース = TO-220寸法 = 10.67 x 3.44 x 16.52mm長さ = 10.67mm奥行き = 3.44mm高さ = 16.52mmリード径 = 0.66 → 0.86mmAP821シリーズTO-220高出力抵抗器(20 W). 非常に低い熱抵抗を備えた、AP821シリーズ無誘導性高出力T0220抵抗器パック(20 W)です。 AP821シリーズの用途: 電源切り替えでの高周波エミッタ回路、電圧調整、低電力パルス負荷、モータ制御回路、モータ駆動回路. ヒートシンクのケース温度(熱グリス使用): 20 W @ 25 ℃ 保護用成形ケース x 1 単独のねじ取り付け穴でヒートシンクに簡単取り付け 電気的に絶縁されたケース
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥950
税込￥1,045
欠品中
AEC-Q200認定. PWR220T-35シリーズ. BournsRのPWR220T-35シリーズは、アルミナセラミック厚膜技術を用いて製造されたTO-220スタイルの電力抵抗器です。. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の適した用途には、計測器、モータドライブ、電源、整流器があります。
仕様テクノロジー = 厚膜パッケージ/ケース = TO-220許容差 = ±5%定格電力 = 35W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = PWR220T-35動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃
RoHS指令(10物質対応)対応
公称抵抗値(Ω)100
1個
￥849
税込￥934
5日以内出荷
AEC-Q200認定. PWR220T-35シリーズ. BournsRのPWR220T-35シリーズは、アルミナセラミック厚膜技術を用いて製造されたTO-220スタイルの電力抵抗器です。. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の適した用途には、計測器、モータドライブ、電源、整流器があります。
仕様テクノロジー = 厚膜パッケージ/ケース = TO-220許容差 = ±5%定格電力 = 35W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = PWR220T-35動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃
RoHS指令(10物質対応)対応
公称抵抗値(Ω)470
1個
￥599
税込￥659
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,498
税込￥2,748
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥7,198
税込￥7,918
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 8 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 310 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥19,980
税込￥21,978
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥16,980
税込￥18,678
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 10.5 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 312 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 15 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 45 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥16,980
税込￥18,678
7日以内出荷
仕様アクセサリタイプ = スプリングクリップ併用 = TO-218、TO-220、TO-247、TO-3Pトランジスタスプリングクリップ. TO220、TO218、TO247、TO3Pなどのパワートランジスタをヒートシンクに1箇所で固定可能なトランジスタスプリングクリップ 強力な押し付け力(最大7.5kg)で、ヒートシンクへの熱伝導特性を最大化。丸穴1つだけで2つのトランジスタに対応可能 あらゆる厚さのヒートシンクパネル又はパッドに適合 亜鉛めっき、透明不動態化仕上げ - 絶縁電圧1000V RS品番131-1216 TO-220適用、RS品番131-1238 TO-3P適用
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥710
税込￥781
7日以内出荷
AEC-Q200認定. PWR220T-35シリーズ. BournsRのPWR220T-35シリーズは、アルミナセラミック厚膜技術を用いて製造されたTO-220スタイルの電力抵抗器です。. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の適した用途には、計測器、モータドライブ、電源、整流器があります。
仕様テクノロジー = 金属皮膜パッケージ/ケース = TO-220許容差 = ±5%定格電力 = 35W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = PWR220T-35動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃
RoHS指令(10物質対応)対応
公称抵抗値(Ω)10
1セット(50個)
￥18,980
税込￥20,878
7日以内出荷
AEC-Q200認定. PWR220T-35シリーズ. BournsRのPWR220T-35シリーズは、アルミナセラミック厚膜技術を用いて製造されたTO-220スタイルの電力抵抗器です。. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の適した用途には、計測器、モータドライブ、電源、整流器があります。
仕様テクノロジー = 金属皮膜パッケージ/ケース = TO-220許容差 = ±5%定格電力 = 35W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = PWR220T-35動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃
RoHS指令(10物質対応)対応
公称抵抗値(Ω)47
1セット(50個)
￥19,980
税込￥21,978
7日以内出荷
Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 14Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 71A
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 65A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥6,998
税込￥7,698
7日以内出荷
Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 24Aピーク逆繰返し電圧 = 650Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 650A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥6,898
税込￥7,588
7日以内出荷
Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥14,980
税込￥16,478
7日以内出荷
Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 温度に依存しないスイッチング動作 超高速スイッチング、最小損失 正温度係数順方向電圧 デバイスは熱暴走せずに並列可能 ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 19A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,398
税込￥2,638
翌々日出荷
クロスバー接点採用、微小電流にも使用可能。
TO-220相当の超小型パッケージ。プリント基板への取付けが容易。
感熱部の絶縁により、発熱部に直付け可能。
優れた熱応答性。
ドライサーキットにも使用可能。
動作温度は任意に選択可能。
用途コンピュータおよび周辺機器。OA機器、通信機。PPC、AMP、暖房機器。試験装置、電源装置、その他電子機器の雰囲気温度検出および過熱保護用。
RoHS指令(10物質対応)対応
パワートランジスターの取付等、絶縁したい部分に御使用下さい。
材質アセタールコポリマー(UL94HB)
色白
使用温度範囲(℃)-40～+85
寸法D(mm)1
RoHS指令(10物質対応)対応
AEC-Q200認定. PWR220T-35シリーズ. BournsRのPWR220T-35シリーズは、アルミナセラミック厚膜技術を用いて製造されたTO-220スタイルの電力抵抗器です。. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の適した用途には、計測器、モータドライブ、電源、整流器があります。
仕様抵抗 = 1Ω定格電力 = 35W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = PWR220T-35自動車規格 = AEC-Q200パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±100ppm/℃リード間隔 = 5.08mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥829
税込￥912
5日以内出荷
AEC-Q200認定. PWR220T-35シリーズ. BournsRのPWR220T-35シリーズは、アルミナセラミック厚膜技術を用いて製造されたTO-220スタイルの電力抵抗器です。. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の適した用途には、計測器、モータドライブ、電源、整流器があります。
仕様抵抗 = 20Ω定格電力 = 35W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = PWR220T-35自動車規格 = AEC-Q200パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±100ppm/℃リード間隔 = 5.08mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥959
税込￥1,055
5日以内出荷
AEC-Q200認定. PWR220T-20シリーズ. BournsRのPWR220T-20シリーズは、アルミナセラミック技術による厚膜を使用して製造されたTO-220方式の電力抵抗器です。. 製品用途の情報. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の用途には、電源、計測器、モータドライブ、整流器があります。
仕様抵抗 = 500mΩ定格電力 = 20W許容差 = ±1%テクノロジー = 金属皮膜シリーズ = PWR220T自動車規格 = AEC-Q200パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±100ppm/℃動作温度 Min = -55℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥16,980
税込￥18,678
7日以内出荷
AEC-Q200認定. PWR220T-20シリーズ. BournsRのPWR220T-20シリーズは、アルミナセラミック技術による厚膜を使用して製造されたTO-220方式の電力抵抗器です。. 製品用途の情報. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の用途には、電源、計測器、モータドライブ、整流器があります。
仕様抵抗 = 2Ω定格電力 = 20W許容差 = ±1%テクノロジー = 金属皮膜シリーズ = PWR220T自動車規格 = AEC-Q200パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +155℃動作温度 Min = -55℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥22,980
税込￥25,278
7日以内出荷
EC-Q200認定. PWR220T-20シリーズ. BournsRのPWR220T-20シリーズは、アルミナセラミック技術による厚膜を使用して製造されたTO-220方式の電力抵抗器です。. 製品用途の情報. TO-220ハウジング 低インダクタンス 抵抗器はバックプレートから電気的に絶縁 高定格電力. これらの電力抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 その他の用途には、電源、計測器、モータドライブ、整流器があります。
仕様抵抗 = 7.5Ω定格電力 = 20W許容差 = ±1%テクノロジー = 金属皮膜シリーズ = PWR220T-20自動車規格 = AEC-Q200パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±100ppm/℃動作温度 Min = -55℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥19,980
税込￥21,978
7日以内出荷
関連キーワード
1
2
3
次へ
