仕様チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 500 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 18 ns
PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor