仕様チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 8.8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2500 mW
幅 = 4mm
自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。