ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 200 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = TO-92
実装タイプ = スルーホール
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = 小信号
最大パワー消費 = 400 mW
標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(20個)
最大連続ドレイン電流 = 200 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = TO-92
実装タイプ = スルーホール
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = 小信号
最大パワー消費 = 400 mW
標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
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商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
- 質問:
- 製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答:
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。
https://help.monotaro.com/app/ask
書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31