仕様チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 500 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 770 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V
最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V
パッケージタイプ = SOT-363 (SC-70)
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = 絶縁型
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = 小信号
最大パワー消費 = 300 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 17 ns
強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。