ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 50 V， 30 A， 3 ピン パッケージTO-220AB

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 30 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 75W
トランジスタ素材 = Si
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。