ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET, 500 V, 5 A, 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズ
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
パッケージタイプ = TO-220F
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 28 W
動作温度 Max = +150 ℃
UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(5個)
最大連続ドレイン電流 = 5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
パッケージタイプ = TO-220F
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 28 W
動作温度 Max = +150 ℃
UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
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商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
- 質問:
- 製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答:
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。
https://help.monotaro.com/app/ask
書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31