ルネサス 16Mbit SRAM メモリ， 1Mワード x 16ビット， 2Mワード x 8ビット， 2.7 → 3.6 V， 48-Pin

メモリサイズ = 16Mbit
構成 = 1Mワード x 16ビット， 2Mワード x 8ビット
ワード数 = 1M， 2M
1ワード当たりのビット数 = 8 bit， 16 bit
最大ランダムアクセス時間 = 55ns
アドレスバス幅 = 19 bit， 20 bit
ローパワー = あり
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = TSOP
ピン数 = 48
寸法 = 18.5 x 12.1 x 1.05mm
高さ = 1.05mm
動作温度 Max = +85 ℃
低消費電力SRAM、RMLVシリーズ、ルネサスエレクトロニクス. RMLVシリーズの高性能アドバンスドSRAMは、高密度で低消費電流を実現し、スタンバイ消費電力が低く抑えられています。. 2.7 → 3.6 Vシングル電源 アクセスタイム: 45 ns (最大) アクセスタイムとサイクルタイムが同じ スリーステート出力の共通データ入力 / 出力 入力 / 出力はすべてTTL対応 バッテリバックアップ動作に最適