仕様チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 6.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = PowerPAK SO
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 1800 mW
動作温度 Max = +150 ℃
NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor