仕様チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2.5 W
寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm
NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor