Vishay Nチャンネル MOSFET， 40 V， 50 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) SQ Rugged シリーズ
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 50 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.8 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 136 W
標準ターンオン遅延時間 = 9 ns
AEC-Q101. NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay SemiconductorのMOSFET SQ シリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。. SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点. AEC-Q101認定 ジャンクション温度: 最高+175 ℃ 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET(R)技術 画期的な省スペースのパッケージオプション
最大連続ドレイン電流 = 50 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.8 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 136 W
標準ターンオン遅延時間 = 9 ns
AEC-Q101. NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay SemiconductorのMOSFET SQ シリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。. SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点. AEC-Q101認定 ジャンクション温度: 最高+175 ℃ 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET(R)技術 画期的な省スペースのパッケージオプション
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(5個)
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商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
- 質問：
- 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答：
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。
https://help.monotaro.com/app/ask
書類名）
1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）
2022-03-31
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