チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 630 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 350 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V
長さ = 3mm
高さ = 1.1mm
NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc