チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 630 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V長さ = 3mm高さ = 1.1mmNチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc