onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， MMBT2484LT1G

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 300 mW
最小DC電流ゲイン = 250
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
最大動作周波数 = 1 MHz
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
動作温度 Max = +150 ℃mm
低ノイズバイポーラトランジスタ、ON Semiconductor