チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 1.3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = SOT-363
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 263 m Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 1.25 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V
幅 = 1.35mm
高さ = 1mm
デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor