Infineon Nチャンネル MOSFET240 V 350 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 350 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 V
シリーズ = SIPMOSR
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 Ω
チャンネルモード = デプレッション型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V
最大パワー消費 = 1.8 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 3.8 nC @ 5 Vmm
高さ = 1.6mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(5個)
最大連続ドレイン電流 = 350 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 V
シリーズ = SIPMOSR
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 Ω
チャンネルモード = デプレッション型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V
最大パワー消費 = 1.8 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
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