Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A、6.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様
チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 4.9 A、6.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩ， 98 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 2mm
高さ = 1.5mm
最大連続ドレイン電流 = 4.9 A、6.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩ， 98 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 2mm
高さ = 1.5mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(20個)
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