Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 20 A 表面実装 パッケージSuperSO8 5 x 6 Dual 8 ピン
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 20 A
最大ドレイン-ソース間電圧 40 V
シリーズ OptiMOS(TM) -T2
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.0086 Ω
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4V
トランジスタ素材 シリコン
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(10個)
最大連続ドレイン電流 20 A
最大ドレイン-ソース間電圧 40 V
シリーズ OptiMOS(TM) -T2
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.0086 Ω
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4V
トランジスタ素材 シリコン
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